美光科技高管在行业会议上，对下一代高带宽内存芯片的竞争力发表了积极乐观的看法，这为市场缓解了对其在HBM4领域落后于竞争对手的担忧。此番言论加上华尔街分析师随后上调目标股价，共同推动了存储芯片板块的整体走强。
隔夜，美光首席财务官Mark Murphy在会上表示，公司已开始HBM4芯片的量产与出货。"我们对HBM的表现感到非常振奋，"Murphy说。这一表态直接回应了市场对于美光在HBM4竞争中可能落后于SK海力士和三星电子的疑虑。
摩根士丹利分析师Joseph Moore周三将美光目标价从350美元大幅上调至450美元，维持增持评级。Moore指出，虽然SK海力士将在今年第一季度的确向英伟达供应HBM4产品，但美光应能从第二季度开始实现同样的目标。
HBM芯片需求的激增是推动美光股价在过去12个月上涨超过三倍的重要动力，美光股价周三上涨6.6%至410.34美元。确认公司已实现HBM4的量产和商业出货，这标志着美光在这一关键技术领域的进展符合市场预期。
美光的大涨带动存储芯片板块整体走强。闪迪在隔夜盘中最大涨幅达13.20%，西部数据上涨4.26%，希捷科技收高2.88%。
量产进展打消市场疑虑
HBM4是新一代高带宽内存技术，对于支持英伟达等厂商的前沿AI芯片至关重要。此前市场曾担忧美光可能在这一领域被韩国竞争对手抢占先机，进而影响其在高利润率产品市场的份额。
摩根士丹利的Moore在研究报告中指出，SK海力士虽然将在第一季度率先向英伟达供应HBM4，但美光从第二季度开始也能实现供货，时间差距并不显著。
Moore预计，第一季度将出现新一轮大幅涨价，并且2026年的供应增长几乎无法缓解预期中的严重短缺。"我们预计今年全年价格将进一步上涨，"他写道。
法国巴黎银行证券研究部高级分析师Karl Ackerman认为，市场对美光HBM4地位的担忧被过度放大了。他指出，即使英伟达未将HBM4初始订单分配给美光，也可能通过订购其他内存组件来平衡供应链。
对HBM芯片的旺盛需求已导致其他类型内存芯片出现短缺，推动整个行业价格上涨。Ackerman分析称，如果用20%的LPDDR5X内存模块份额替代20%的HBM4份额，在英伟达Vera Rubin计算架构中产生的利润将相当可观。
这种供需格局为美光等存储芯片制造商创造了有利的定价环境。HBM芯片的高利润率特性，使其成为推动美光业绩增长的关键产品线。
