三星电子开发4.2nm定制HBM裸片解决方案
据IT之家1月21日消息,韩媒ZDNET Korea今日报道,三星电子将在HBM4之后的定制HBM内存上延续其“制程优势”策略,提供从4nm直至当前最先进的2nm等一系列基础裸片(Base Die)解决方案。
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IT之家注:台积电则计划为定制HBM基础裸片导入N3P制程。

▲ 三星电子代表在IEEE ISSCC 2025会议上演示的方案构想中,内存控制器与定制逻辑单元位于基础裸片上
配备HBM内存的高阶AI XPU芯片,正面临单芯片理论最大面积(858mm²的光罩尺寸)限制算力进一步提升的难题。化解这一问题的方式,除了多芯片的物理/通信互联外,还包括将部分电路卸载到邻近的HBM基础裸片上。
由于HBM内存进入HBM4时代后,HBM基础裸片也采用逻辑半导体制程,因此可承担原由XPU主体担负的电路功能。而HBM基础裸片的工艺越先进,其能容纳的逻辑电路就越多,能效表现也越出色。
内部人士表示,三星电子的定制HBM基础裸片解决方案,由系统LSI业务新设立的定制SoC团队负责。
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