台积电HBM4E定制版前瞻:N3P基础裸片集成内存控制器
IT之家11月28日报道,据德国媒体Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交平台分享的图片显示,台积电于本月25日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP(开放创新平台)生态系统论坛欧洲场上,分享了其对首款定制HBM内存的看法。
与美光首席商务官Sumit Sadana的观点相似,台积电同样认为定制HBM将在HBM4E时代正式落地,其对相关产品的称呼是C-HBM4E。

▲ 图源:Andreas Schilling
台积电在HBM4时代提供了两种不同的HBM Base Die(基础裸片)制程方案,分别是面向主流市场的N12FFC+和追求更高性能的N5。
而在C-HBM4E上,为了向基础裸片集成MC(内存控制器)以满足节省计算芯片面积等需求,台积电将提供N3P先进制程基础裸片解决方案,宣称可将能效提升至HBM3E基础裸片的2倍左右。同时C-HBM4E的Vdd电压将仅有0.75V,较HBM4进一步降低。
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