IT之家11月28日报道，据德国媒体Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在社交平台分享的图片显示，台积电于本月25日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP（开放创新平台）生态系统论坛欧洲场上，分享了其对首款定制HBM内存的看法。

与美光首席商务官Sumit Sadana的观点相似，台积电同样认为定制HBM将在HBM4E时代正式落地，其对相关产品的称呼是C-HBM4E。

▲ 图源：Andreas Schilling

台积电在HBM4时代提供了两种不同的HBM Base Die（基础裸片）制程方案，分别是面向主流市场的N12FFC+和追求更高性能的N5。

而在C-HBM4E上，为了向基础裸片集成MC（内存控制器）以满足节省计算芯片面积等需求，台积电将提供N3P先进制程基础裸片解决方案，宣称可将能效提升至HBM3E基础裸片的2倍左右。同时C-HBM4E的Vdd电压将仅有0.75V，较HBM4进一步降低。