美光警告：存储芯片短缺困局或将持续至2028年
1月12日消息，据外媒 Wccftech 报道，美光移动与客户业务部门市场副总裁克里斯托弗·摩尔（Christopher Moore）表示，由于晶圆厂扩建周期漫长、认证流程复杂，存储器供应紧张的问题在2028年前难以明显改善。
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这一判断与美光的长期扩产规划相呼应。据悉，美光纽约首座晶圆厂计划于2030年投产，第二座工厂预计在2033年上线，第四座工厂则规划在2045年前后完成。同时，美光爱达荷州第一座晶圆厂预计2027年开始DRAM生产，第二座爱达荷工厂的投产时间预计将早于纽约首厂。
摩尔指出，新建晶圆厂不仅涉及建设本身，还包括客户认证以及满足AI客户对制程和良率的高标准要求，这些因素都会拉长时间表。因此，在全部审批完成之前，美光爱达荷工厂难以实现实质性放量，真正显著的产能释放预计要到2028年之后。
摩尔同时强调，单靠新工厂投产，无法迅速解决当前的存储器短缺，另一大制约因素在于客户对不同容量模块的多样化需求。例如，当苹果等客户同时下单8GB、12GB和16GB模块时，生产线需要频繁切换配置，从而降低整体效率。
AI相关需求的快速增长正成为美光无法忽视的重点。摩尔表示，数据中心和企业级市场正在迅速扩张，其在美光整体存储器业务中的占比已从30%至35%提升至接近50%至60%。
外媒 Tom’s Hardware 的报道则称，退出英睿达（Crucial）品牌，反映出美光正将资源更多转向企业级DRAM和SSD，以应对AI带来的需求增长。
从报道中获悉，美光指出，随着中国存储器厂商加快布局DDR5和HBM等先进产品，来自不同地区的竞争反而有助于推动公司持续提升能力，从而更好地服务客户并巩固市场地位。
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