美光豪掷千亿美元，打造全球最先进存储芯片工厂
1月12日，存储巨头美光科技宣布，将于1月16日下午在美国纽约州正式破土动工，兴建其规划中的巨型晶圆厂。
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该项目总投资额预计高达1000亿美元，成为纽约州历史上规模最大的私人投资项目。
美光表示，在完成严格的环境审查与必要的许可审批后，目前基地准备工作已全部就绪，即将进入实质施工阶段。
这一制造中心将建设多达四座工厂，致力于打造全球最先进的存储半导体生产基地，以满足人工智能等领域日益增长的需求。
据了解，美光最初于2024年10月公布建厂计划，原定2024年中开工。然而，由于长达上万页的环境评估报告审查流程，工期推迟了约一年半。
根据最新安排，美光计划在3月31日前完成场地清理，随后进行铁路支线与湿地平整工作。预计首座工厂将于2030年投产，第二座工厂将在三年后启用。至2045年第四座工厂建成时，该项目将创造约9000个就业岗位。
市场研究机构Counterpoint Research的数据显示，在2025年第三季度全球HBM市场中，美光以21%的营收份额位列第三，落后于SK海力士（57%）和三星电子（22%）。
而在包含HBM在内的整体DRAM市场中，三家公司份额分别为SK海力士34%、三星电子33%、美光26%。若美光能按计划将其市场份额提升至40%，则有望超越竞争对手，跃升为全球第一大存储公司。
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