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CES2026芯片观察:2纳米主导AI之战,内存价格策略应对

CES2026芯片观察:2纳米主导AI之战,内存价格策略应对

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2026-01-07

每年开年之际举行的CES 国际消费电子展不仅是消费电子厂商的展示舞台,也是芯片大厂之间的竞技场。去年,英特尔、AMD、英伟达、高通、Arm这几大芯片巨头就轮番上场,吸足了目光。今年在内存价格暴涨、2 纳米工艺量产、AI军备大战延续等热点话题催动下,芯片领域的动态依然占据着CES舞台的中心。

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AI芯片博弈,从云端走向边缘

如果说2025年的AI芯片竞争聚焦于数据中心的算力比拼,2026年的CES则呈现“云端深耕+边缘爆发”的双重格局。英特尔、AMD、英伟达、高通等巨头纷纷瞄准AI PC、AI座舱、物理AI(机器人、AR眼镜)等落地场景,通过新品发布与生态协同,争夺全场景AI算力主导权。

英伟达虽未占据CES最新核心演讲位,却依然是焦点所在。黄仁勋在密集的行程中,重点强调了人工智能的新趋势,发展重心正从纯粹的“数字智能”迈向与物理世界交互的“物理AI”。演讲中,黄仁勋详细阐述了AI能力演进的下一个关键阶段:从大语言模型的“记忆与生成”迈向智能体(Agent)的“推理与行动”。他解释,早期模型会产生“幻觉”,是因为它们缺乏在回答前进行“基础研究”的能力。而现代智能体框架能够进行思维链推理,主动规划步骤、调用工具,从而解决从未被明确训练过的新问题。


AMD董事会主席兼CEO苏姿丰发表了本届CES的开幕主题演讲。她表示,全球计算基础设施的需求从2024年的月1 ZettaFLOPS增长到2025年的超100 ZettaFLOPS。未来需要将全球计算能力再增加100倍,也就是到YottaFLOPS级别,这也意味着每秒可完成10的24次方次浮点运算。

技术新品依然是CES的重点。英伟达在CES2026期间正式推出了最新的Rubin平台。Rubin平台由六款全新芯片组成,通过Vera CPU、Rubin GPU、NVLink 6交换器、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU与Spectrum-6以太网络交换器的协同设计,整合成一台AI超级计算机,可大幅缩短AI训练时间并降低推理Token生成成本。黄仁勋表示这些产品“已经全面投产”。

英特尔发布了首款基于Intel 18A制程(2nm级)的计算平台——第三代酷睿Ultra系列处理器(代号Panther Lake)。其旗舰型号最高配备16个CPU核心、12个Xe核心和50TOPSNPU算力,带来高达60%的多线程性能提升。

AMD同样发布多款新品,包括新一代AI芯片MI455X GPU、Ryzen AI 400系列处理器、Ryzen AI Max+系列新款处理器、AI开发平台Ryzen AI Halo等。苏姿丰还透露了AMD未来两年芯片路线图:下一代MI500系列有望在2027年推出,基于CDNA 6架构、搭载HBM4e、采用2nm工艺。

高通宣布推出面向主流商务本和轻薄本市场的X2 Plus平台,搭载第三代 Oryon CPU(最高主频4.0GHz),分为10核和6核两个版本,并配备新一代Adreno GPU与Hexagon NPU。10核版本 CPU单核性能较前代平台提升35%、多核性能提升17%,GPU性能提升29%,NPU性能提升78%。

量产启动,2纳米开启争霸赛

2026年的CES标志着半导体行业正式迈入“2纳米时代”的量产竞速战。18A工艺是英特尔在本届CES上的核心展示之一。英特尔表示,18A首家在⼤规模量产节点上结合了全栅极环绕与背⾯供电,将芯片的能效和密度推向新的高度。全栅极环绕让架构师能够更精确地控制电流,背⾯供电提升了电力传输和信号完整性。相比Intel 3,Intel 18A每瓦性能提⾼15%以上,晶体管密度提升了30%。英特尔希望通过这款产品验证其代工服务(IFS)的竞争力,争取苹果、亚马逊等外部客户,同时,英特尔也已经开始研发更先进的14A等技术。


台积电在2025年第四季度已启动2纳米(N2)工艺量产,成为首家基于全栅极环绕架构提供代工服务的厂商。尽管台积电并未披露具体客户名单,但行业普遍推测,苹果、高通等核心客户的下一代产品将依托其2纳米工艺落地。CES期间其合作伙伴的新品亦陆续释出相关产品信号。

三星亦于2025年12月宣布基于2纳米GAA工艺的移动应用处理器Exynos 2600正式量产。但良率提升仍是其核心挑战。行业消息显示,高通、AMD正在评估三星2纳米工艺,特斯拉等AI芯片需求大户的订单态度,将成为三星能否扭转局势的关键。CES2026上,三星或通过Exynos 2600的终端适配产品,展示其2纳米工艺的商业化成果。

内存涨价,存储成关注重点

2026年消费电子市场的最大变量,莫过于内存价格的暴涨。受AI服务器需求激增影响,三星、SK海力士等内存厂商将70%产能转向高毛利的HBM、DDR5产品,导致消费级内存结构性缺货,2025年DDR4在半年内涨幅超过200%,移动端LPDDR5X内存价格涨幅超40%。这一趋势直接推高消费电子成本。存储产品相关动态也成为本届CES上的关注重点。


SK海力士在CES上设立专属客户展馆,集中展示面向AI的下一代存储器解决方案,包括下一代HBM产品“16层 48GB HBM4”。这是12层 36GB HBM4之后的后续版本,目前正根据客户需求稳步推进研发工作。除HBM之外,SK海力士还将重点展出面向AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2,端侧AI场景的LPDDR6、321层2Tb(太比特)QLC产品等。

芯片大厂则通过技术升级推动内存效率提升。例如,英伟达 RTX 50 Super系列采用更高速率的GDDR7显存,在提升带宽的同时优化能效;英特尔、AMD则通过Chiplet封装技术,实现内存资源的灵活分配,提升利用效率。CES2026上,这些技术方案的展示,将为行业指明内存涨价周期下的技术破局方向。

从2纳米工艺的量产竞速,到AI芯片的全场景卡位,再到内存涨价下的技术演变,都是全球半导体产业重构的缩影。对于行业而言,本届CES不仅是技术与产品的展示,更是寻找成本与创新、短期利益与长期布局平衡点的契机。

来源:https://www.163.com/dy/article/KIMNQ1IJ0511RIVP.html
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