据韩媒ZDNET Korea今日（12月30日）报道，三星电子正研发一项名为FOWLP-SbS（注：SbS即Side-by-Side，意为并列封装）的先进封装技术，这项技术有望进一步提升Exynos芯片的散热表现。
当前高端移动处理器（例如Exynos 2600）通常采用将DRAM内存集成封装在SoC核心逻辑芯片之上的方案，这样既方便布线，也能减少整体封装面积。不仅如此，Exynos 2600还在SoC核心上引入了HPB散热结构，将热阻降低了多达16%。
而在采用FOWLP-SbS封装的芯片中，SoC核心与DRAM将并排放置，其上方统一覆盖HPB散热层。这种做法能够扩大SoC核心与HPB的接触面积，从而进一步增强散热效果。SoC核心与DRAM之间预计会采用混合键合技术来实现短距离高效互联。
韩媒分析认为，FOWLP-SbS方案有助于降低封装成品的整体厚度，能支持使用更厚的SoC核心和DRAM芯片，从而优化供电线路的设计。不过，该方案也存在占用面积更大的劣势，预计会率先应用于注重厚度控制、但平面空间相对充裕的折叠屏设备上。
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