近日，韩国媒体Thelec报道称，韩国智慧财产振兴院（KIPRO）一位研究员Kim In-soo在受访时指出，尽管韩国存储芯片制造商在制造与堆叠HBM方面表现优异，占据大半市场份额，但原材料与设备却过度依赖海外公司。加上韩国企业缺乏与HBM相关的混合键合核心专利，未来可能面临专利诉讼风险。

根据市场研究机构Counterpoint Research公布的数据显示，在今年第二季度全球HBM市场，韩国SK海力士以高达62%的份额稳居第一，韩国三星电子份额为17%，美光的份额为21%。也就是说，韩国SK海力士和三星电子共同占据了全球79%的市场份额。

然而，根据KIPRO分析，美国的Adeia和台积电是HBM制造所需的混合键合技术的领导者。此外，中国大陆的长江存储也是其中之一。

Kim In-soo 表示，其研究团队利用AI技术审阅了2003年到2024年之间，在韩国、美国、日本、欧洲与中国公开的超10000件相关专利，从专利质量与市场价值来看，Adeia 拥有最具价值的专利。

Adeia 拥有从Ziptronix 取得的直接键合互连与低温直接键合等核心技术专利，并通过旗下Invensas 与Tessera 等公司，也已取得大量混合键合专利组合。

另据K-PEG 评级，台积电拥有A3 等级以上的高品质专利数量中排名第一，三星则排名第二，美光和IBM 紧追在后。报道还称，台积电的SoIC 技术具高价值。

目前中国在存储领域的专利也在快速增长，例如长江存储也掌握包括Xtacking 在内的核心技术。这些专利横跨韩国、美国、日本、欧洲与中国注册，意味着韩国企业可能随时卷入专利诉讼。

值得一提的是，今年2月，三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。

而三星之所以选择向长江存储获取“混合键合”专利授权，主要由于目前长江存储在“混合键合”技术方面处于全球领先地位。并且三星经过评估认为，从下一代V10 NAND开始，其已经无法再避免长江存储专利的影响。

目前混合键合技术主要有两类，晶圆到晶圆（Wafer-to-Wafer, W2W）和裸片到晶圆（Die-to-Wafer, D2W）。CBA架构的NAND正是基于W2W的混合键合技术，省去了传统芯片连接中所需的“凸点”（Bump），形成间距为10μm 及以下的互连，使得电路路径变得更短、I/O密度大幅提升，从而显著提高了传输速率，并降低了功耗，同时还减少芯片内部的机械应力，提高产品的整体可靠性。

同时，由于堆叠层数越来越高，未来NAND Flash前端的集成也由原来的NAND阵列（Array）+CMOS电路层堆叠，转向NAND阵列+NAND阵列+CMOS电路层堆叠，因此也带来更多的“混合键合”需求。

可以说，对于3D NAND厂商来说，要想发展400层以上的NAND堆叠，混合键合技术已经成为了一项核心技术。

Kim In-soo 指出，虽然韩国持有第二大HBM 相关专利，但其质量与影响力“低于平均水平”，因为韩国在核心设备与材料上仰赖进口，对国内企业构成风险。相关公司目前可能仍倾向于通过不公开的协商方式签订授权协议，但从2026年混合键合开始商业化后，这些问题可能最终演变成诉讼。

编辑：芯智讯-浪客剑

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