12月1日消息，据韩媒 The Elec 上周（11月27日）报道，三星电子计划在明年2月举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示新一代HBM4内存。
报道指出，三星此次展出的HBM4样品容量为36GB，带宽达到3.3TB/s。相比上个月展示的36GB、2.4TB/s版本，带宽实现了进一步提升。通过优化堆叠结构并重新设计接口，三星在提升传输速度的同时也改善了能效表现。
一位业内人士解释道：“三星在每个通道上应用了硅通孔（TSV）路径的对齐信号（TDQS）自动校准技术，从而提高了高速区间信号传输的准确性。这项技术特别针对AI大模型等高流量应用场景进行了优化。”
值得注意的是，三星的竞争对手SK海力士也将在明年2月公开下一代存储技术，有望同步展示单Pin速率达14.4Gb/s的LPDDR6内存。该内存配备了基于低压差线性稳压器（注：LDO）的WCK时钟分配架构，可在超高速运行环境下保持信号稳定性，性能较上一代LPDDR5X有显著提升。
此外，SK海力士还将公开展示GDDR7显存，其单Pin最高速度可达48Gb/s，容量为24Gb。这款显存最大的特色是将通道分为两部分，可同时进行读写操作，主要面向GPU、AI边缘推理、高分辨率游戏等应用场景。
作为参考，ISSCC 2026大会将于明年2月15日至2月19日在美国旧金山举行。由于参会者以企业研究人员为主，预计将有大量接近量产的新技术在此次大会上首次亮相。
