11月28日消息，据德国媒体Hardwareluxx编辑Andreas Schilling在其社交平台发布的图片显示，台积电已于本月25日在荷兰阿姆斯特丹举办的2025年OIP生态系统论坛欧洲场上，分享了对首款定制化HBM内存的展望。
与美光首席商务官Sumit Sadana的观点相似，台积电同样认为定制化HBM将在HBM4E时代正式落地，并将其相关产品命名为C-HBM4E。
台积电在HBM4时代提供了两种不同的HBM基础裸片制程方案，分别是面向主流市场的N12FFC+和追求更高性能的N5。
而在C-HBM4E上，为了在基础裸片中集成内存控制器以节省计算芯片面积，台积电将推出基于N3P先进制程的解决方案，宣称其能效可比HBM3E基础裸片提升约2倍。同时C-HBM4E的Vdd工作电压将降至0.75V，较HBM4进一步降低。
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