2026年IEEE ISSCC前瞻:SK海力士14.4Gbps LPDDR6即将亮相
据11月25日消息,2026年度IEEE国际固态电路会议(ISSCC)将于明年2月15日至19日在美国加州旧金山举行。这场集成电路领域的行业盛会,将汇集学术界与产业界的最新技术成果,届时众多前沿突破将在现场集中展示。
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值得注意的是,存储领域的各大原厂都将在本次活动上展示一系列值得关注的内容:

在DRAM内存底层架构方面,三星电子将带来采用混合铜键合技术实现单元与外围堆叠的VCT垂直单元晶体管4F2立体构型设计(15.10)。
在LPDDR6方面,三星已宣布在明年初的CES上展出12nm制程的10.7Gbps版本,而ISSCC则将介绍其16Gb 12.8Gbps版本(15.8);与此同时,SK海力士基于1cnm工艺的16Gb 14.4Gbps LPDDR6也将在会上亮相(15.7)。
SK海力士还计划展示其48Gbps高速24Gb大容量GDDR7(15.9)。此外,闪迪-铠侠的六平面2Tb QLC(15.1)、三星的36GB 3.3TB/s HBM4(15.6)等重磅产品也将悉数登场。
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