据11月25日消息，2026年度IEEE国际固态电路会议（ISSCC）将于明年2月15日至19日在美国加州旧金山举行。这场集成电路领域的行业盛会，将汇集学术界与产业界的最新技术成果，届时众多前沿突破将在现场集中展示。
值得注意的是，存储领域的各大原厂都将在本次活动上展示一系列值得关注的内容：
在DRAM内存底层架构方面，三星电子将带来采用混合铜键合技术实现单元与外围堆叠的VCT垂直单元晶体管4F2立体构型设计（15.10）。
在LPDDR6方面，三星已宣布在明年初的CES上展出12nm制程的10.7Gbps版本，而ISSCC则将介绍其16Gb 12.8Gbps版本（15.8）；与此同时，SK海力士基于1cnm工艺的16Gb 14.4Gbps LPDDR6也将在会上亮相（15.7）。
SK海力士还计划展示其48Gbps高速24Gb大容量GDDR7（15.9）。此外，闪迪-铠侠的六平面2Tb QLC（15.1）、三星的36GB 3.3TB/s HBM4（15.6）等重磅产品也将悉数登场。
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