11月19日，最新的CFM闪存市场数据显示，闪存价格正全线上涨，部分产品涨幅已逼近40%。具体来看，1Tb QLC版本上涨25.00%，单价达到12.50美元；1Tb TLC涨幅为23.81%，报13美元。512Gb TLC型号涨幅最高，达到38.46%，来到9美元；256Gb TLC版本也上涨14.58%，目前报价为5.50美元。

在昨日举行的小米业绩电话会上，小米集团合伙人兼总裁卢伟冰也谈到了存储成本持续攀升的问题。他指出，当前内存价格上涨是一个长周期现象，主要驱动力来自于AI技术带来的HBM需求激增，而并非传统手机、笔记本电脑等行业周期性波动所致。

面对这一行业趋势，卢伟冰透露小米早有准备——已经与合作方签署了2026年全年供应协议，确保全年元器件供应不受影响，并表示未来公司可能通过适度调价和产品结构升级来缓解成本压力。

闪存作为一种非易失性存储技术，广泛应用于各类电子产品。我们日常使用的手机、电脑存储部件中，都能见到它的身影。与DRAM（动态随机存取存储器，常用于计算机内存，断电后数据会丢失）不同，闪存在断电后仍然能保留数据。这两种技术共同构成了当前主流半导体存储器的主要部分，在全球存储市场中占据重要地位。

NAND闪存的核心是“存储单元”（Cell），就像一个个可以存放数据的“小盒子”。QLC和TLC的命名方式，就源于每个“小盒子”能保存的“数据位数”。QLC每个存储单元可存储4位数据，主要应用于大容量SSD（固态硬盘）及数据中心存储设备等场景。而TLC每个存储单元可存储3位数据，是目前消费电子产品中最普及的闪存技术，常见于手机、笔记本电脑的SSD、U盘等设备中。

近期闪存价格大幅上涨，受到多方面因素的综合影响。在供给端，三星、SK海力士、铠侠、美光等存储行业巨头从今年下半年开始，集体削减NAND（闪存的一种技术类型）供应量。有业内产能调整清单显示，今年三到四季度，三星的NAND晶圆投入量同比减少15%，SK海力士直接砍掉20%，铠侠和美光也分别削减了12%和18%。

与此同时，各大厂商为了抢占AI存储风口，纷纷将传统TLC NAND产线改造为更适合AI数据中心的QLC工艺产线，这导致常规NAND产能进一步被挤压，加剧了市场供应紧张局面。

而在需求端，随着AI技术的迅猛发展，AI数据中心对存储需求呈现爆发式增长。单台AI服务器的NAND使用量是传统服务器的3倍，这使得大容量SSD需求急剧攀升。科技公司为保证自身业务发展，开启“恐慌性囤货”模式，纷纷投入资金抢订NAND配给额度。不少供应商明年的NAND供货配额已被抢订一空，进一步推动了价格上涨。

“四大类别的存储产品都出现了缺货涨价，我在30多年职业生涯里前所未见，这种状况令人头疼。”存储模组厂商威刚科技董事长陈立白在10月底的一场活动上这样表示。

TrendForce集邦咨询最新调查显示，2026年全球市场仍面临诸多不确定性，特别是存储器步入强劲上行周期，导致整机成本上扬，并将迫使终端产品定价上调，进而冲击消费市场。

摩根士丹利在研报中预测，存储行业将开启一个持续数年的“超级周期”，全球存储市场规模有望在2027年迈向3000亿美元。