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三星2026年底1c DRAM月产能扩至20万片,争夺市场主导权

三星2026年底1c DRAM月产能扩至20万片,争夺市场主导权

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2025-11-20

11月19日消息,韩国媒体ETNews昨日报道称,为重新夺回DRAM市场主导地位,三星计划到2026年底将其10纳米级第六代DRAM(1c DRAM)的月产能扩大至20万片晶圆,预计将占公司DRAM总产量的三分之一。可以说三星DRAM业务的重心明年将转向1c制程,这一战略转移恰逢其时。

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据ETNews透露,三星电子今年前三季度已连续将DRAM市场龙头地位拱手让予SK海力士。三星认为核心原因在于其DRAM业务的技术布局。该公司认定DRAM产品品质直接影响HBM竞争力,随即启动了大规模的设计革新。

1c DRAM正是这一系列努力的成果。消息人士透露,1c制程近期已通过内部认证,良品率达到约70%,稳定量产阶段(良率80%~90%)指日可待。采用1c DRAM制造的HBM4良品率也被确认突破50%。

三星计划到2026年底将1c DRAM月产能扩大至20万片,意欲重夺市场领导地位

此外,历经艰辛谈判,三星电子最终敲定了向英伟达供应HBM4的协议,计划从今年第四季度开始交付首批产品。随着HBM4需求激增已成定局,该公司正全力投入1c DRAM产能建设。

服务器、PC及移动设备对DRAM的需求同样推动着三星电子的投资布局。其中服务器DRAM需求因AI数据中心投资扩张而暴涨。随着数据中心运营商竞相投入基础设施以实现AI服务,服务器DRAM价格也在急速攀升。

与此同时,增长放缓的PC和移动市场也悄然复苏。这得益于端侧AI技术的兴起。值得注意的是,若要在终端设备上运行AI计算,大容量内存势在必行。这意味着DRAM需求将大幅增长。PC和移动设备市场也将成为支撑DRAM需求的重要支柱,预计可能引发供应短缺。

对高性能内存的强劲需求,正是三星扩大1c DRAM生产占比的根本动因。而1c DRAM作为三星独有的差异化利器,更加速了这一进程。

当竞争对手仍在采用1b DRAM时,三星已决定使用1c DRAM制造HBM。此举旨在通过领先一代的产品实现市场逆转。三星正通过大规模扩充产能,试图以1c DRAM重塑行业格局。

业内人士分析:“三星电子凭借远超竞争对手的产能主导市场,这种战略极有可能在1c DRAM领域重现。”

据悉,1c产能将通过扩建与工艺转换同步推进,其中以平泽第四工厂(P4)为核心,目前正处于设备进场与安装阶段。

工艺转换特指将10纳米级1x・1y・1z DRAM生产线改造为1c专用产线,属于技术迁移。此举可最大限度利用现有生产线设备,仅引进必要装备,从而快速构建DRAM产线,提升市场响应速度。

该方案在投资回报方面具有显著成本节约效益。同时,此举被解读为削减面临中国激烈追赶的旧代DRAM产能,集中力量发展新一代DRAM以实现“超差距”战略的决心。据了解,技术迁移正以多条产线同步推进的方式展开。

来源:https://www.ithome.com/0/898/449.htm
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