11月19日消息，韩国媒体ETNews昨日报道称，为重新夺回DRAM市场主导地位，三星计划到2026年底将其10纳米级第六代DRAM（1c DRAM）的月产能扩大至20万片晶圆，预计将占公司DRAM总产量的三分之一。可以说三星DRAM业务的重心明年将转向1c制程，这一战略转移恰逢其时。
据ETNews透露，三星电子今年前三季度已连续将DRAM市场龙头地位拱手让予SK海力士。三星认为核心原因在于其DRAM业务的技术布局。该公司认定DRAM产品品质直接影响HBM竞争力，随即启动了大规模的设计革新。
1c DRAM正是这一系列努力的成果。消息人士透露，1c制程近期已通过内部认证，良品率达到约70%，稳定量产阶段（良率80%~90%）指日可待。采用1c DRAM制造的HBM4良品率也被确认突破50%。
此外，历经艰辛谈判，三星电子最终敲定了向英伟达供应HBM4的协议，计划从今年第四季度开始交付首批产品。随着HBM4需求激增已成定局，该公司正全力投入1c DRAM产能建设。
服务器、PC及移动设备对DRAM的需求同样推动着三星电子的投资布局。其中服务器DRAM需求因AI数据中心投资扩张而暴涨。随着数据中心运营商竞相投入基础设施以实现AI服务，服务器DRAM价格也在急速攀升。
与此同时，增长放缓的PC和移动市场也悄然复苏。这得益于端侧AI技术的兴起。值得注意的是，若要在终端设备上运行AI计算，大容量内存势在必行。这意味着DRAM需求将大幅增长。PC和移动设备市场也将成为支撑DRAM需求的重要支柱，预计可能引发供应短缺。
对高性能内存的强劲需求，正是三星扩大1c DRAM生产占比的根本动因。而1c DRAM作为三星独有的差异化利器，更加速了这一进程。
当竞争对手仍在采用1b DRAM时，三星已决定使用1c DRAM制造HBM。此举旨在通过领先一代的产品实现市场逆转。三星正通过大规模扩充产能，试图以1c DRAM重塑行业格局。
业内人士分析：“三星电子凭借远超竞争对手的产能主导市场，这种战略极有可能在1c DRAM领域重现。”
据悉，1c产能将通过扩建与工艺转换同步推进，其中以平泽第四工厂（P4）为核心，目前正处于设备进场与安装阶段。
工艺转换特指将10纳米级1x・1y・1z DRAM生产线改造为1c专用产线，属于技术迁移。此举可最大限度利用现有生产线设备，仅引进必要装备，从而快速构建DRAM产线，提升市场响应速度。
该方案在投资回报方面具有显著成本节约效益。同时，此举被解读为削减面临中国激烈追赶的旧代DRAM产能，集中力量发展新一代DRAM以实现“超差距”战略的决心。据了解，技术迁移正以多条产线同步推进的方式展开。
