DRAM内存颗粒价格触底反弹，现货价格短期或快速上涨
近期存储芯片市场出现罕见行情，DRAM内存颗粒报价竟一反常态地超越了同容量内存条，引发业界高度关注。根据行业研究机构监测，当前现货市场DDR4与DDR5内存价格持续攀升，但由于供货量严重不足，实际成交量始终维持在低位水平。这种供需失衡的特殊局面，导致内存颗粒与成品模组之间出现显著价差，其中DDR4 1Gx8 3200MT/s规格颗粒本周价格飙涨7.1%，单价从11.071美元跃升至11.857美元。
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市场分析指出，本轮行情主要受供应端收缩影响。上游原厂持续控制产能释放节奏，叠加渠道商惜售心态蔓延，使得现货流通量急剧减少。尽管价格持续走高，但多数买家持观望态度，仅维持必要采购，导致"有价无市"现象加剧。研究机构预测，随着颗粒价格快速补涨，内存条与颗粒的价差将在短期内逐步收窄，但整体供应紧张局面可能延续至明年初。
NAND闪存市场同样呈现强势上涨态势。受合约市场强劲需求带动，现货市场交易热度持续升温，512Gb TLC晶圆价格本周暴涨17.07%至6.455美元。中小型采购方因难以直接从原厂获取货源，转而加大现货市场采购力度，进一步推高价格。值得注意的是，当前持货商普遍预期后市继续向好，普遍采取延迟出货策略，这种集体惜售行为加剧了市场供应紧张。
对于后续走势，行业观察人士认为，在原厂产能未明显释放前，NAND现货市场紧俏格局难以改变，价格上行趋势可能延续至2025年第一季度。不过需要警惕的是，若合约市场价格涨幅过快，或终端消费需求出现延迟，现货市场热度可能在2026年初出现回调。当前市场各方正密切关注原厂产能调整动态及终端需求变化，以判断本轮上涨周期的持续性。
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