11月6日消息，市场调研机构集邦咨询最新报告显示，全球存储芯片市场正经历一轮剧烈的价格上涨周期。该机构在昨日（11月5日）发布的博客文章中详细阐述了这一趋势。
在DRAM领域，供应紧张导致买家囤货行为加剧，采购方往往见到报价就迅速下单，这种狂热情绪直接推高了现货价格。而在NAND闪存市场，供应商采取惜售和控制出货策略，造成市场交易零星分散，价格持续攀升。
报告进一步指出，DRAM现货市场本周出现了明显的囤货潮。这背后主要有两大因素：首先是上游供应商产能持续紧张，其次是金士顿等主流模组厂开始主动限制出货量。
这一连锁反应使得其他模组厂面临巨大的库存回补压力。尽管当前现货成交价与最新报价存在显著差距，但这并未抑制买家的采购热情，他们仍在加速建立库存，以应对未来市场的不确定性。
博客中特别提到，在强劲需求推动下，DDR5芯片的现货价格本周内飙升了30%，市场供需失衡问题正日益凸显。报告分析认为，短期内供应紧张的局面难以缓解。
为此，许多买家正提前备货，以确保从今年年底到明年年初的供应稳定。作为市场风向标，主流DDR4芯片（1Gx8 3200MT/s）的平均现货价格已从上周的9.523美元上涨11.61%，达到本周的10.629美元。
NAND闪存方面，由于合约价近期连续大幅上涨，其现货价格涨幅更为迅猛。不过，供应商为了实现利润最大化，目前仅释放有限的晶圆资源。
与此同时，持有库存的卖家普遍预期价格将继续走高，因此惜售情绪浓厚，一度导致市场几乎无货可售。现货供应极度受限，使得市场交易十分清淡。预计随着供应持续收紧，后续价格还将进一步上涨。本周，512Gb TLC晶圆的现货价格已上涨14.21%，达到5.514美元。
