SK海力士与英伟达签HBM4供应协议，股价涨超50%前景佳
全球存储芯片市场正经历新一轮价格调整，SK海力士凭借第六代高带宽存储器（HBM4）的供应协议，进一步巩固了其在人工智能（AI）芯片领域的领军地位。这家韩国存储巨头与英伟达达成协议，明年将为其供应HBM4产品，定价较上一代HBM3E飙升逾50%，单颗价格定在约560美元（折合人民币3989元）。这一价格变化不仅反映了技术升级带来的成本压力，更凸显了HBM4在AI计算中的核心价值。
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HBM4的技术突破是支撑其价格上涨的关键。较之HBM3E的1024个数据传通道（I/O），HBM4将这一数量倍增到2048个，同时首次在基底芯片中集成了计算效率优化与能效管理等逻辑制程功能。这种技术整合促使SK海力士调整生产策略——自HBM4起，基底芯片的生产将外包给台积电，而此前该环节由公司内部完成。这种分工调整虽然增加了成本，但也为产品性能的持续提升提供了保障。
谈判过程并非一帆风顺。英伟达曾对SK海力士提出的550美元单价表示异议，考虑到三星电子和美光科技也将大规模进入HBM4市场，英伟达希望控制价格涨幅。但最终双方以560美元的价格达成妥协，这一结果助力SK海力士在HBM4市场继续保持主导地位。公司高管虽未确认具体谈判细节，但承认制程进度和原材料成本上升是涨价的合理依据。
财务影响已开始显现。SK海力士近期向机构投资者透露，明年HBM业务的营业利润率可能维持在60%左右，销售额预计达到40至42万亿韩元（约合人民币2084亿元）。若利润率与今年持平，仅HBM业务就将贡献约25万亿韩元（约合人民币1240亿元）的营业利润。随着公司从HBM3E全面转向HBM4，整体HBM业绩有望较今年（销售额30万亿韩元，营业利润17万亿韩元）提升40%至50%。
更广泛的行业趋势也为SK海力士提供了助力。全球AI基础设施投资热潮推动通用DRAM价格持续走高，尤其是图形双倍数据速率（GDDR）和低功耗（LP）DDR产品。据DRAMeXchange数据，9月份DDR4固定交易价格六年来首次突破7美元，主要原因是存储芯片厂商将产能优先转向HBM生产线，导致通用DRAM供应紧张。SK海力士从中受益，其通用DRAM业务营业利润率有望接近50%至60%。
市场对SK海力士的乐观预期持续升温。有分析指出，随着推理AI市场快速扩张，存储芯片需求激增，而供应端短期内难以满足。SK海力士甚至未投产就已售罄明年产能，这种供需格局将支撑其高利润率持续。若HBM和通用DRAM业务双线发力，公司明年整体营业利润有望突破70万亿韩元，创下历史新高。
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