DRAM与NAND闪存价格连涨，存储芯片市场行情分析
近期存储器市场延续上涨行情，通用DRAM与NAND闪存价格连续多月走高。其中，DRAM价格已连续七个月走高，而NAND闪存价格则已连续十个月上涨，本月涨幅更是创下年内新高。
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根据市调机构DRAMeXchange发布的数据显示，10月份通用PC产品DDR4 8Gb（1Gx8 2133MHz）平均合约价格达到7美元，较上月的6.30美元上涨11.11%。自4月份价格反弹22.22%以来，该产品便进入持续上升通道，5月至8月期间单月涨幅均超过20%，虽然9月份涨幅收窄至10%左右，但整体上涨趋势依然不改。
供需失衡是推动DRAM价格上涨的重要因素。据DRAMeXchange母公司TrendForce分析，PC厂商为应对供应短缺风险，正在提前增加备货库存；而供应商则将产能重心向服务器DRAM倾斜，导致PC DRAM供应量进一步收紧。这种供需错配的局面在第四季度或将加剧，TrendForce预计当季PC DRAM合约价格环比将上涨25%至30%。尽管三星、SK海力士和美光等主要供应商已开始调整生产策略，聚焦高附加值产品，但产能限制短期内仍难以缓解，价格上行压力持续存在。
NAND闪存市场同样呈现强势上涨态势。128Gb（16Gx8）MLC闪存产品10月份平均合约价涨至4.35美元，较上月3.79美元上涨14.93%，创下2025年以来的单月最大涨幅。TrendForce报告指出，供应端产能收缩与需求端工业、汽车及电信设备领域的增长形成共振，成为推动价格上涨的主要动力。特别值得注意的是SLC和MLC闪存产能持续萎缩，使得细分市场供需关系更趋紧张。
从需求结构来看，人工智能服务器、工业设备和汽车电子产品对NAND闪存的稳定需求，成为支撑价格的重要因素。TrendForce预计，这种需求态势将延续至2026年上半年，届时NAND闪存价格可能会迎来新一轮上涨。在当前市场环境下，供应商正在通过优化产能分配和产品组合来应对需求变化，但短期供应紧张局面仍难以根本扭转。
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