AI推动HBM产能扩张加剧全球DRAM供应紧张

10月23日,全球DRAM内存市场正经历由人工智能基础设施建设拉动的需求快速增长,高带宽内存(HBM)领域的需求增长尤为显著。与此同时,通用型DRAM产品的需求也在持续升温。由于HBM产能占比不断扩大,挤占了原本用于生产通用DRAM的晶圆投片资源,导致整体供应链日趋紧张,消费级内存价格也因此受到明显冲击。
据韩国朝鲜日报最新报道,随着通用DRAM供应短缺可能长期持续的风险加剧,中国、美国等地的部分下游企业已开始与占据全球DRAM市场七成以上的三星电子和SK海力士展开合作,签订为期两到三年的中长期供应合同。相较于以往按季度或年度签订的短期协议,这类长期合约反映出下游客户当前更注重未来供应的稳定性,而非短期的库存调整灵活性。
由于HBM在利润水平和市场需求方面更具优势,主要内存制造商的扩产重点普遍集中于HBM产品线,部分厂商甚至已将原有通用DRAM产能转为HBM生产。这一产能调整使得通用DRAM在需求持续上升的同时,供给端反而面临收缩压力,预计这种供需失衡状况将在未来一段时间内持续存在。
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