三星、SK海力士计划2025年Q4上调DRAM与NAND闪存价格，涨幅最高30%
10月23日，《韩国经济新闻》援引业内人士消息称，三星、SK海力士等主要存储芯片供应商已通知客户，计划在2025年第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调最高30%。
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花旗银行、摩根士丹利等研究机构在近期的半导体行业分析报告中指出，预计2025年第四季度DRAM芯片的平均售价将上涨25%-26%，较原先的预测大幅提高了超过10个百分点，进一步强化了市场对上游价格上涨的预期。
业内人士分析，本轮涨价潮的主要驱动力是人工智能爆发式增长带来的存储需求。谷歌、微软、亚马逊、Meta及OpenAI等科技巨头正积极投资建设AI数据中心，这些数据中心对高容量、高性能DRAM的需求正在快速攀升。
行业预测显示，到2030年，高带宽内存市场规模有望达到1000亿美元（约合7095亿元人民币），相比今年预期的300-400亿美元（约合2128-2838亿元人民币）增长近三倍。而将于明年正式出货的12层堆叠HBM4芯片单价预计达到500美元，较当前主流的HBM3E芯片300美元（约合2129元人民币）的价格，涨幅超过60%。
与此同时，业界对人工智能的投资重心也在转移，正从以数据训练为主导向推理服务化阶段拓展。这种转变不仅进一步刺激了对HBM的需求，也带动了传统DRAM市场的同步增长。
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