10月20日，韩国媒体《朝鲜日报》发布消息称，由三星电子晶圆代工部门为存储器事业部制造的4纳米工艺HBM4内存逻辑芯片（Note：逻辑裸片）产品良率已成功突破九成大关。
三星电子在HBM4产品中采用了较为激进的工艺组合方案，即使用1纳米级DRAM裸片搭配4纳米逻辑裸片；而台积电目前为高性能HBM提供的逻辑芯片解决方案则基于5纳米工艺节点。
据悉，来自兄弟部门的订单已占据三星晶圆代工4纳米节点约半数产能，且该制程节点的整体良率也突破了80%的重要关口。
对三星电子而言，在HBM内存对逻辑芯片制程要求不断提升的背景下，存储器事业部HBM业务的市场份额恢复也意味着晶圆代工部门能够获得更大规模的内部订单，这将有力推动企业盈利状况的持续改善。
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