三星电子发力HBF高带宽闪存开发，布局AI存储新赛道
三星电子启动HBF高带宽闪存研发计划
10月3日，据韩国媒体fnnews报道，行业巨头三星电子现已启动针对AI数据中心的高带宽闪存(HBF)产品研发工作。该公司目前正进行初步的概念设计阶段，旨在满足人工智能运算中日益增长的快速存储需求。由于项目尚处早期阶段，具体技术参数及投产时间表仍未明确。
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HBF技术路线现分歧
当下NAND闪存市场对HBF技术发展呈现出两大主流方向：一方面是由闪迪首创并获得SK海力士附议的"HBM式NAND"方案；另一方面则是铠侠展示的"超高速PCIe大容量存储"设计。值得注意的是，目前尚未有确切消息表明三星将选择何种技术路径。
Z-NAND技术优势凸显
在当前AI推理应用场景中，传统SSD设备往往难以胜任高速数据处理需求。三星电子独有的Z-NAND技术有望在多层存储架构(MLS/SLM)领域展现独特优势，填补常规NAND与DRAM之间的性能鸿沟。
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