英伟达下一代GPU架构"费曼"确认2028年推出，台积电A16工艺赋能
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在年初的GTC 2025大会上，英伟达公布了其数据中心GPU的最新发展路线图，并正式揭晓了继“Rubin”之后的下一代架构命名——“Feynman”，该名称源自著名物理学家理查德·菲利普斯·费曼。这一新架构预计将接棒Rubin，成为未来高性能计算领域的重要支撑。
据相关消息显示，英伟达有望成为台积电A16工艺的首批采用者之一，而这一先进制程预期将用于制造Feynman架构芯片。通常情况下，英伟达在工艺节点的选择上倾向于成熟稳定的方案，而非第一时间采用最前沿技术。例如，当前Hopper与Blackwell架构均基于4纳米工艺打造，而下一代表现为Rubin的产品才首次过渡到3纳米。相比之下，Feynman将成为英伟达首款采用环绕栅极（GAA）晶体管结构的芯片，标志着其在晶体管设计上的重要跨越，预计该产品将于2028年面世。
A16工艺可视为N2P工艺结合背面供电技术后的升级版本，计划于2026年底进入量产阶段。该工艺融合了台积电的超级电轨（Super Power Rail）架构，即通过背部供电方式释放芯片正面的空间，从而实现更高的逻辑单元密度和更优的能效表现。这种设计特别适合应用于对信号复杂性和供电网络密度要求极高的高性能计算产品。相较于N2P工艺，A16在相同电压条件下性能提升8%至10%，或在同等频率下实现15%至20%的功耗降低，同时整体集成密度达到原先的1.1倍。
随着芯片性能和集成度不断提升，先进制程的成本也持续攀升。市场传闻指出，台积电2纳米级工艺的单片制造成本可能已接近3万美元。可以预见，若英伟达决定采用支持背面供电的A16工艺来打造Feynman架构芯片，其研发与生产投入必将达到新的高度，进一步体现高端计算芯片在技术演进过程中的资源密集特征。
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