SK海力士率先突围！全球首款HBM4开发完成并准备量产
9月12日消息，据媒体报道，SK海力士宣布，已成功开发出面向人工智能的新一代超高性能存储器HBM4，并在全球范围内率先建立了该产品的量产体系。
SK海力士表示：“我们成功开发出将引领AI新时代的HBM4，并凭借这一技术成果，首次在全球构建HBM4量产体系，再次彰显了我们在AI存储器技术领域的领导地位。”
高带宽存储器（HBM）通过垂直堆叠多个DRAM芯片，显著提升了数据处理速度。该技术目前已迭代至第六代，包括HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E和HBM4。
全新的HBM4采用了2048条数据传输通道，数量为上一代的两倍，不仅实现带宽翻倍，能效也提升超过40%，达到了全球领先的数据传输速度和能效水平。
SK海力士预测，将该产品应用于客户系统后，可最高提升AI服务性能69%，不仅能够从根本上缓解数据瓶颈，还可大幅降低数据中心的电力成本。
此外，HBM4的运行速度达到10Gbps以上，明显高于JEDEC标准规定的8Gbps。
公司在HBM4开发过程中采用了自主先进的MR-MUF技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺，这些技术已在产品稳定性方面获得市场认可，有助于最大限度降低量产风险。
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