4亿美元光刻机限量发售，全球厂商争相订购

ASML已将High NA EUV技术视为未来发展的战略重点。在今年发布的二季度财报中，这家荷兰设备巨头确认了首台高数值孔径EUV设备的收入计入。尽管这项收入拉低了整体毛利率，但公司仍实现了53.7%的健康盈利水平。

根据ASML一季度财报会议透露，英特尔已利用High NA设备在单季度内突破了3万片晶圆的曝光量。这一技术突破显著优化了制程流程，将特定层的工艺步骤从40个简化至10个以内。三星方面也表示，其某工艺层级的周期时间缩短了60%。相较于传统Low NA EUV设备漫长的成熟周期，High NA技术展现出更快的产业化落地速度。

可以预见，全球领先的晶圆代工厂将成为首批High NA设备的采购主力。三星近期的一系列动作恰好印证了这一趋势。

三星加速布局下一代光刻技术

近年来，三星在存储芯片和晶圆代工领域遭遇双重挑战。但随着良率提升和与特斯拉达成战略合作，这家韩国巨头正重拾信心，加速部署下一代光刻设备。

三星已确认首款2nm GAA芯片Exynos 2600进入量产阶段。通过引进更多ASML High NA EUV设备，该公司希望进一步提升良品率。据Fnnews报道，三星此次重金投入，目标是在2nm GAA制程领域确立竞争优势。

行业消息显示，在Exynos 2600的测试阶段，三星已实现30%的良率。要达到70%的经济量产门槛，High NA设备的引进至关重要。然而受限于ASML年产5-6台的产能及各国出口管制政策，三星无法任意追加采购数量。

韩国媒体The Bell曾报道，三星认为High NA技术的大规模量产应用预计要等到2027年以后。该公司目前正在评估在1.4nm工艺中部署该技术的可行性，同时暂缓在DRAM生产中的应用计划，主要考量因素是成本和未来DRAM架构变革。

SK海力士率先实现设备引进

近日，SK海力士与ASML联合宣布，已在韩国利川M16工厂完成业界首台Twinscan NXE:5200B高数值孔径EUV系统的安装。该设备初期将用于技术研发，未来将应用于尖端DRAM量产。

SK海力士表示，此举将在全球半导体竞争格局中强化公司技术优势。自2024年在10nm制程引入EUV技术以来，公司持续扩大其在DRAM生产中的运用。与ASML的合作将加速下一代存储器的开发进程。

ASML高管Kim表示:"High NA EUV标志着半导体行业的新纪元。"SK海力士技术总监Cha则强调:"这项关键设备将助力我们在AI内存领域保持领先。"

值得注意的是，SK海力士此次走在了美光、三星等竞争对手前面。虽然短期内该设备主要用于工艺开发，但长远来看，这将帮助SK海力士在2030年代顺利过渡到High NA EUV量产阶段。

台积电与美光的战略选择

在全球High NA EUV布局中，英特尔的战略地位举足轻重。而台积电和美光的决策同样具有风向标意义。

台积电在今年5月的欧洲技术论坛上明确表示，其A16(1.6nm)和A14(1.4nm)工艺无需借助High NA设备。"我们只会在技术效益明确时采用高数值孔径EUV"，台积电高管Kevin Zhang强调。

相比之下，美光在EUV技术的采用更为谨慎。该公司计划2025年才首次将EUV引入DRAM生产，High NA设备的引进可能还需更长时间。此外，日本Rapidus公司也可能成为未来High NA市场的重要变量。

产业发展的未来思考

尽管High NA EUV获得业界广泛认可，但4亿美元的单台售价仍是阻碍其快速普及的关键因素。有观点指出，未来芯片制造可能降低对光刻技术的依赖，转而更多依靠蚀刻工艺。

一位英特尔董事匿名评论称:"GAAFET和CFET等新型晶体管架构有望减少对光刻精度的需求。更精准的蚀刻技术将成为制程演进的重点。"

回顾EUV技术发展历程，其商业化进程也经历了类似的质疑。对于High NA EUV的未来，产业界仍在持续观察与评估。技术路线的最终选择，将取决于实际效益与投资回报的平衡。