时间:2025-09-03 作者:游乐小编
随着各大品牌新机发布季的临近,厂商们正热火朝天地进行新品预热宣传。OPPO Find系列产品负责人周意保最近就在社交平台上透露,X9系列将带来"显著的续航提升"。然而更引人注目的,是他与网友关于手机存储容量的讨论。
周意保明确表示,OPPO暂时无意推出2TB存储机型,理由是"2TB硬件尚未成熟"。这引发了一个有趣的问题:当前限制手机存储容量突破2TB的技术瓶颈究竟在哪里?
目前智能手机主要采用UFS和eMMC这两种单芯片存储解决方案。观察闪迪、三星、美光等存储大厂的最新产品线不难发现,即便是最新的UFS4.x或相对传统的eMMC闪存,最高仅提供1TB规格的单芯片选项。
但事情并非如此简单。从技术角度看,2TB存储其实并非完全不可行。
手机存储看似单芯片,实则包含控制器和闪存两部分。以慧荣推出的UFS4.1主控SM2756为例,它明确支持最高2TB的3D TLC和QLC闪存。这表明不仅主控芯片已具备支持能力,对应的闪存颗粒技术也已成熟。
目前的障碍在于,以现有技术实现2TB单芯片方案会出现两个问题:首先是厚度超标。比如佰维研发的2TB MiniSSD厚度达1.4mm,远超当前手机UFS闪存0.85-1mm的标准厚度。
其次是性能问题。若保持现有厚度,必须采用QLC闪存,但其性能、可靠性都较TLC有明显差距。目前使用QLC的中端机型难免给人以"廉价"印象,旗舰机型自然谨慎采用。
其实业内已有创新方案:坚果R1曾通过两颗512GB闪存组合实现1TB;黑鲨、联想等厂商也尝试过UFS+NVMe SSD的混合存储方案。这种方式既可突破单芯片容量限制,还能提升读写性能。
特别是对强调性能的游戏手机而言,增加一块闪存芯片带来的平面空间占用,远比增加整机厚度更容易接受。这可能成为实现2TB手机的理想方案。
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