新一代UltraRAM内存量产在即：千年存储+高速读写双突破

8月29日消息，融合了DRAM内存和NAND闪存优势的新一代存储技术——UltraRAM，即将迈入量产阶段。

据报道，UltraRAM的开发公司Quinas Technology在过去一年中，持续与先进晶圆制造商IQE展开合作，致力于将UltraRAM的制造工艺推向工业化规模。

UltraRAM被广泛视为一种革命性的存储器，它兼具DRAM的高速性能和NAND的高耐用性。其耐用性比传统NAND高出4000倍，能耗极低，同时具备长达千年的数据保存能力。

这一技术的重大突破，主要得益于锑化镓（gallium antimonide）和锑化铝（aluminium antimonide）磊晶工艺的创新。该工艺属全球首创，为UltraRAM的大规模量产铺平了道路。

据了解，UltraRAM的生产首先依赖磊晶技术，随后通过曝光、蚀刻等标准半导体工序完成内存芯片的构建。

IQE首席执行官Jutta Meier表示：“我们已成功开发出可扩展的UltraRAM磊晶工艺，这是实现芯片工业化生产的关键一步。该项目为下一代复合半导体材料在英国落地提供了独特机遇。”

Quinas首席执行官兼联合创始人James Ashforth-Pook也强调，此次合作标志着UltraRAM从学术研究走向商业化存储器产品的重要转折。

据悉，接下来Quinas与IQE将与多家晶圆厂及合作伙伴商讨试产计划，推动UltraRAM技术的实际应用。