台积电1.4nm工艺2028年量产，功耗降低30%

8月28日消息，在先进制程领域，台积电持续保持领先地位。今年该公司将实现2nm工艺N2的量产，随后还将推出1.6nm的A16工艺，而更进一步的1.4nm A14制程也在规划之中。

目前，1.4nm工艺的工厂建设已经启动。由于建厂周期通常需要两年时间，中科管理局最新信息显示，中科二厂园区的水土工程预计将于9月底完成，台积电计划在10月正式开工建设。

除了台积电自身的工厂外，园区还预留了5公顷土地，预计将吸引半导体设备、IC设计等上下游企业入驻，进一步完善产业链生态。

根据台积电4月公布的建厂计划，中科二厂编号为Fab 25，将建设4座晶圆厂。首座工厂预计于2027年进行风险试产，2028年下半年实现量产，初期产能规划为每月5万片晶圆。

该工厂将率先导入1.4nm制程工艺。官方数据显示，与当前领先的N2制程相比，A14工艺在相同功耗下可实现速度提升15%，或在相同速度下降低30%的功耗，同时逻辑密度提升超过20%。