台积电1.4nm工艺2028年量产，功耗降低30%
8月28日最新消息显示，台积电在先进制程领域继续保持绝对领先优势。继今年即将量产的2nm N2工艺后，该公司还将陆续推出1.6nm A16工艺和1.4nm A14工艺。
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目前1.4nm工艺产线筹建工作已经启动。由于晶圆厂建设周期需两年左右，根据中科管理局最新公告，台积电中科二厂园区的水土工程预计9月底完工，10月将正式开工建设。
除台积电自有厂房外，园区内还将预留5公顷工业用地，计划引入半导体设备供应商及IC设计公司等产业链合作伙伴。
今年4月公布的建厂规划显示，中科二厂项目代号Fab 25，总规划建设4座晶圆厂。首座产线计划于2027年投入风险试产，2028年下半年实现大规模量产，初期月产能可达5万片晶圆。
该生产基地将专注于1.4nm工艺生产。据台积电官网技术参数显示，相较于当前最先进的N2制程，A14工艺可在相同功耗下实现15%的性能提升；或在相同性能下降低30%功耗，同时逻辑密度提高20%以上。
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