台积电2纳米泄密案：主嫌或面临14年重刑

8月28日消息，据《日经亚洲》8月27日报道，台积电2纳米芯片技术泄密案已有新进展，涉案三名人员被检方正式起诉，分别面临14年、9年及7年有期徒刑的求刑，目前案件仍在进一步审理中。 报道指出，主要嫌疑人陈某曾在台积电担任工程师，熟悉公司内部严格的保密机制及供应商保密协议。离职后他加入日本半导体设备巨头TEL公司，并利用与原同事的关系，多次索取涉及2纳米蚀刻工艺的机密文件与数据，通过拍摄和复制等手段获取信息，用于协助TEL提升设备性能。 检方披露，被陈某接触的台积电员工中包括吴某、戈某和廖某等人，这些人员因职务权限可接触到“核心关键技术”。据指控，外泄文件共计12页，内容涉及高度敏感的集成电路制造工艺细节。 目前，检方要求对主犯陈某判处14年监禁，吴某9年，戈某7年，另一涉案人员廖某暂未被起诉。台积电方面已正式将案件移交司法机关处理，并再次强调对技术泄露行为持“零容忍”态度，表示将依法追究到底。