SK海力士全球首发321层QLC NAND闪存，突破300层量产技术
8月25日，SK海力士正式宣布已完成321层2Tb QLC NAND闪存的开发工作，并启动量产进程。
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该产品成为全球首款突破300层结构的QLC NAND闪存，公司计划在明年上半年通过全球客户验证后全面投入市场。
为提升新产品的成本效益，SK海力士专门开发了存储容量达2Tb的芯片单元，其容量规格达到现有方案的两倍。
针对大容量NAND可能出现的性能瓶颈，技术团队将芯片内部的独立操作单元（平面）从4个增至6个，通过增强并行处理能力，显著优化了同步读取性能。
相较于前代QLC产品，新款321层NAND在容量与性能方面实现全面突破：数据传输速率提升至两倍，写入性能增强56%，读取性能提高18%，同时写入功耗效率优化超过23%。
SK海力士的市场推广策略将分阶段推进，首先应用于个人电脑固态硬盘，随后逐步扩展至数据中心企业级固态硬盘和智能手机UFS存储解决方案。
此外，通过采用32颗NAND芯片堆叠的先进封装技术，产品集成度实现翻倍增长，这将助力公司进军AI服务器专用超高容量企业级固态硬盘市场。
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