SK海力士全球首发321层QLC NAND闪存，突破300层量产技术

8月25日，SK海力士正式宣布，已完成全球首款321层2Tb QLC NAND闪存的开发并进入量产阶段。

这是业界首次在QLC技术上实现超过300层的NAND闪存堆叠。根据计划，SK海力士将在明年上半年完成全球客户验证后正式推出该产品。

为提升新产品的成本竞争力，SK海力士开发出单颗容量达2Tb的芯片，其容量较现有同类产品提升了一倍。

针对大容量NAND可能出现的性能瓶颈，SK海力士将芯片内的独立操作单元（平面）从4个增至6个，显著提升了并行处理能力，大幅改善了多任务读取性能。

与上一代QLC产品相比，321层NAND不仅在容量上实现突破，性能也全面提升：数据传输速度提高一倍，写入性能提升56%，读取性能增强18%，同时写入功耗效率优化23%以上。

在产品应用方面，SK海力士计划首先将321层NAND用于PC SSD，随后逐步扩展至数据中心企业级SSD和智能手机UFS存储解决方案。

此外，通过堆叠32个NAND闪存芯片的先进封装工艺，SK海力士还将推出集成度翻倍的eSSD产品，进军AI服务器所需的高容量存储市场。