SK海力士1c DRAM工艺突破：六层EUV技术领先三星

8月12日最新消息，知名科技媒体WccfTech于昨日（8月11日）发布专题报道，披露了SK海力士（SK Hynix）在存储技术领域的重要突破。据悉，这家韩国半导体巨头计划在1c DRAM量产中全面应用六层极紫外光（EUV）工艺，旨在推动DDR5和高带宽存储（HBM）产品的性能升级，巩固其在下一代存储技术中的领先优势。

报道指出，这项创新工艺不仅重新定义了行业标准，更将显著提升DDR5和HBM产品的整体性能。EUV技术采用13.5纳米波长的光源，能够在芯片制造过程中实现更精细的电路结构刻画，同时大幅减少传统多重图案化（multi-patterning）工艺的复杂工序。

与业内普遍采用的EUV与深紫外（DUV）混合工艺不同，SK海力士此次在1c DRAM生产线上全面部署六层EUV工艺。这一战略举措不仅能简化整体生产流程，更有望显著提升产品良品率和利润率，为企业在激烈的市场竞争中赢得更多主动权。

业内观察人士认为，SK海力士此举不仅进一步巩固了其在存储芯片领域的领导地位，更在与三星等主要竞争对手的技术较量中获得了新的竞争优势。虽然1c DRAM目前尚未在消费级内存市场大规模应用，但SK海力士正积极探索其在更大容量DDR5及HBM产品中的应用潜力。

据知情人士透露，SK海力士将持续加大EUV工艺的研发投入，计划在未来量产的1d、0a等新一代DRAM产品中全面引入EUV技术，并最终实现高数值孔径（High-NA）EUV技术的整合应用。通过采用EUV工艺，SK海力士将能够生产出更高密度、更快速度且更节能的DDR5及大容量HBM芯片，特别是在即将问世的HBM4等产品中，1c DRAM的应用有望带来性能和容量的双重飞跃，为人工智能、高性能计算等前沿领域提供更强大的硬件支持。