SK海力士1c DRAM工艺突破：六层EUV技术领先三星
8 月 12 日消息，科技媒体 WccfTech 昨日（8 月 11 日）发布博文，报道称 SK 海力士（SK Hynix）为了推动 DDR5 及高带宽存储（HBM）产品性能升级，并在新一代存储技术中占据领先地位，计划在量产 1c DRAM 上应用五层以上极紫外光（EUV）工艺。
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该媒体指出，该工艺不仅刷新了行业标准，也为 DDR5 和高带宽存储（HBM）产品带来更高性能。援引博文介绍，EUV 技术采用 13.5 纳米波长，可在电路中实现更精细的结构刻画，减少多重图案化（multi-patterning）步骤。
传统 DRAM 制造多采用 EUV 与深紫外（DUV）工艺混合，而 SK 海力士此次在 1c DRAM 全面采用五层以上 EUV 工艺，不仅可以简化生产流程，而且有助于提升产品良品率和利润率。
该媒体认为在新一轮技术竞赛中，SK 海力士此举不仅巩固了其在存储市场的领先地位，也为其与三星等竞争对手的较量增添了新优势。
1c DRAM 目前尚未广泛应用于主流消费级内存，但 SK 海力士正积极探索其在更大容量 DDR5 及 HBM 产品中的可能性。消息称 SK 海力士将持续加码 EUV 工艺布局，为后续 1d、0a 等新一代 DRAM 产品全面引入 EUV，最终推动高数值孔径（High-NA）EUV 技术的集成。
通过 EUV 工艺，SK 海力士能够生产更高密度、更高速、更节能的 DDR5 及高容量 HBM 芯片，显著提升产能和良品率，尤其在 HBM4 等未来产品中，1c DRAM 的应用有望带来性能与容量的双重突破，为人工智能、高性能计算等领域提供更强支撑。
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