6月4日消息——在台北国际电脑展上，三星公布了一项值得关注的新动作：面向 HBM5 高带宽内存的 HPB（热阻断路径）封装散热结构正式亮相。这并不是一次小幅改进，而是直指 HBM 内存发展中最关键、也最棘手的散热难题。
前一天刚传出全球首款 HBM5 内存的消息，第二天三星就把对应的散热方案摆上台面，可见其布局节奏相当紧凑。HPB 架构的核心思路并不复杂：在封装内部加入一根独立热柱，让热量能够直接从堆叠内部导出，再传向封装上方或侧边的散热器。原理看似直接，但真正的挑战在于，随着 HBM 堆叠层数不断增加、传输速度持续提升，散热压力早已不只是堆叠内部局部发热这么简单。
三星此次重点瞄准的是 D2D PHY 区域，也就是 HBM 基底芯片与 GPU 之间的高速互连层。简单来说，这里是整个系统中的核心“热瓶颈”之一：连接密度更高、功耗持续上升，传统封装散热方案已经越来越难以应对。针对这一问题，三星给出的解决方案是“增加一条对外导热通道”，并且这一技术路线已经在 HBM4E 产品上完成部署与验证。
提到 HBM4E，三星首批 12 层样品已于上个月出货，传输速率达到 14Gbps，后续还可进一步提升至 16Gbps，单堆叠带宽达到 3.6TB/s。对于高带宽内存来说，这些性能数据越亮眼，也意味着封装散热和热管理压力会同步上升。
三星还确认了一个重要方向：HBM5 的基底芯片将从 HBM4/HBM4E 所采用的 4nm 制程，升级切换到三星自家的 2nm 工艺。这里“自家”尤为关键——三星同时具备内存制造与逻辑代工能力，这意味着未来 HBM5 堆叠和基底芯片有望全部纳入其自身制造体系之中，供应链整合与工艺协同优势十分明显。
三星 Device Solutions 总裁兼 CTO Song Jai-hyuk 的表态也很直接：随着 AI 系统性能越来越强、集成度越来越高，热管理能力、数据处理效率以及先进封装稳定性，已经和内存性能本身同样重要。这一判断放在当下的 AI 芯片与高带宽内存市场中，已经不再是加分项，而是决定产品竞争力的关键因素。
当然，在 HBM 散热技术这条赛道上，三星并不是唯一的竞争者。SK 海力士同样在加码布局，但技术路径明显不同——其 iHBM 方案采用“嵌入式”思路，将具备电绝缘特性的导热硅冷却元件直接嵌入 D2D PHY 层，并宣称相比现有产品可将热阻降低超过 30%。一个是通过新增热通道将热量快速导出，另一个则是把冷却元件直接贴近发热点。两种 HBM 封装散热方案究竟谁更高效、更稳定，最终仍要看后续量产与实际验证表现。
