铠侠于7月30日正式宣布，已开始向客户提供第九代BiCS FLASH 3D闪存技术样品，本次出货的是1Tb三层单元（TLC）存储器件。
此次送样的1Tb TLC版本，与之前出样的BiCS9 512Gb TLC相比，有一个显著差异：它采用了230层存储阵列。这意味着在NAND堆叠层数上，这一代产品与BiCS8处于同一水平。但值得留意的是，其技术迭代远不止堆叠层数这一个维度。
更深层的革新在于，BiCS9 1Tb TLC在制造工艺上引入了一项新组合：它用上了原本属于BiCS10的CMOS技术。这带来的直接收益是，NAND接口速率飙升到了4.8 Gb/s。这一速度提升，对于中低容量场景下的高性能需求，堪称关键破局点。
从市场定位来看，铠侠对第九代和第十代BiCS FLASH做了清晰划分。第九代的目标非常明确：专攻那些对中低容量存储有苛刻要求、同时需要高性能和卓越能效的应用场景。而第十代——即堆叠层数达到332层的产品——则瞄准了未来对大容量、高性能解决方案有强烈需求的市场。
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