首先给出几个核心观点：逻辑与存储深度融合的3D IC方案，正逐渐成为芯片设计领域的新趋势。这并非空穴来风，而是由真实的市场需求所驱动。

7月28日，据韩媒ZDNET Korea报道，三星晶圆代工部门近期收到了大量关于3D IC方案的咨询。这类咨询量的显著增长，通常预示着行业正在就某个技术方向达成共识。

HBM已是行业熟知的方案，它通过大量I/O接口和DRAM Die堆叠，使带宽达到了传统内存难以企及的高度。但需要指出的是，HBM在系统层面仍属于2.5D异构集成，逻辑芯片与存储芯片之间依然存在中介层。而真正的3D集成，则能将逻辑与存储的距离压缩至极限——通过直接的垂直数据路径，从根本上突破困扰芯片设计领域多年的“内存墙”瓶颈。

然而，这类3D IC方案有一个难以回避的特点：存储部分的设计必须与逻辑部分高度耦合。换言之，一旦采用3D集成路线，所使用的3D DRAM将不再是通用标准产品，而是每一颗都可能需要定制化。对于行业巨头而言，这或许意味着成本增加，但对于中小型内存厂商来说，这反而是一个全新的蓝海市场——当定制化需求成为常态，小而美的企业便获得了入场的机会。