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俄罗斯企业成功研制150nm电子束直写光刻原型系统

时间:2026-07-24 21:33
俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心成功开发150nm电子束直写光刻原型系统,目前处于早期测试阶段。该技术不依赖掩模版,适合小批量生产,尤其契合航天国防等领域的芯片需求。

俄罗斯芯片制造领域传来最新进展。据俄媒CNews报道,位于俄罗斯的泽列诺格勒纳米技术中心已于今年6月成功开发出一套150nm电子束直写光刻原型系统,设备名称可意译为“Progress ELL 150”。

俄企业成功开发 150nm 电子束直写光刻原型系统

先说说设备本身。该中心负责人透露,目前正对两套原型系统进行为期4个月的初步测试,后续才会进入图案化精度及其他技术参数的验证阶段。换句话说,这项技术仍处于早期验证期,距离真正量产还有相当距离。

电子束光刻本质上是一种不依赖掩模版的光学图案化技术。其优势在于灵活便捷,特别适合小规模制造——无需像传统光刻那样先制作昂贵的掩模版。但代价也很明显:产能有限,难以支撑大规模量产。在传统半导体产业链中,电子束光刻通常用于掩模制造环节,而非直接用于芯片生产。

不过,这个逻辑放在俄罗斯身上,或许需要重新审视。对于航天或国防工业所需的芯片,市场规模本就相对较小,产量需求不像消费电子那样动辄上千万片。在此背景下,直接采用电子束光刻进行小批量生产,反而可能具备商业上的可行性。毕竟,与其被外部卡脖子,不如在自给自足的道路上走出一条差异化路径。这个思路,值得业界持续关注。

来源:https://www.ithome.com/0/981/308.htm
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