本轮内存与闪存价格大幅上涨，表面归因于AI需求激增引发的供需失衡，但实际数据令人意外——过去一年内存条价格涨幅接近500%，部分产品甚至飙升近10倍。按常理，如此涨幅应源于产能极度紧张，但真相究竟如何？

一位来自半导体行业的匿名人士直接点破了真相：内存短缺被严重夸大。据其透露，2026年当前内存缺口仅为4%至5%左右。此前预测2025年会出现8%至9%的短缺，但三星、海力士等主要厂商顺利从1b工艺升级至1c工艺，这一节点跨越显著提升了位容量输出，从而弥补了大部分预期缺口。到2027年，随着美光、三星全面启动新生产设施，缺口预计将收窄至3%。进入2028年，上半年可能仍有2%至3%的缺口，但下半年将实现供需平衡，价格也将逐步趋于稳定。

当然，内存市场实际产能缺口究竟多大，难以确切判断。AI需求旺盛，HBM消耗大量产能，这些都是事实。但反过来看，如果缺口真达到一半，当前的AI投资热潮恐怕早已降温。该员工的爆料是否完全准确，目前尚无定论，不过彭博等知名金融机构此前给出的数据显示：今年第二季度是供应最紧张时期，缺口也仅为8%左右；明年内存需求将基本平衡，缺口收窄至2%以内；而到2028年，甚至可能出现供应过剩。

因此，本轮内存涨价，与其说是AI需求爆发导致产能不足，不如说是多方势力博弈下人为制造的短缺危机。最大受益者是谁，不言而喻。此外，三大巨头仍在渲染内存缺货将持续至2030年以后，甚至声称将贯穿下一个十年周期——这种言论听听即可，不必过于当真。