英特尔公布最新XBM内存专利速度最高可达32GT/s挑战HBM4

英特尔公布XBM（超高带宽内存）专利，采用后段晶体管与1T1C结构，运行速度最高32GT s，封装尺寸与HBM4一致，单颗容量0 5-5GB，目标替代HBM4，预计2030年后商业化。

近日有消息透露，英特尔悄然公开了一项名为XBM（超高带宽内存）的专利技术。简单来说，该技术直接瞄准了HBM 4的替代方案，核心目标极为明确——提供更高的带宽。

当前，HBM依然是AI服务器领域内存的主流标准，这一格局几乎没有悬念。值得注意的是，从近两年开始，为了缓解供应短缺和功耗压力，已有企业尝试将LPDDR内存集成到AI产品中。这股替代趋势，在某种程度上倒逼传统内存巨头重新审视自身的战略布局。

英特尔在内存领域并非新手。过去它曾研发过HMC（混合内存立方体）、MCDRAM（多通道动态随机访问内存）等多项技术，但遗憾未能实现商业化。如今XBM的亮相，标志着英特尔正在重新调整其DRAM布局。结合此前公布的ZAM（Z角内存）技术，不难看出，这家老牌芯片巨头正试图重返DRAM市场。

那么，XBM究竟靠什么实现突破？根据专利文件描述，XBM采用后段晶体管设计，包含封装基板、可选基础Die以及堆叠式存储芯片。每一层存储芯片都采用1T1C（一个晶体管、一个电容）结构，关键是将晶体管移至BEOL（后端金属互连层）。如此一来，面积利用率更高，TSV（硅通孔）密度也随之提升——相比传统前端晶体管DRAM，带宽的提升相当显著。

另一个值得关注的细节是：XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，封装尺寸与HBM 4保持一致，单颗芯片容量在0.5GB到5GB之间，运行速度最高可达32 GT/s。这意味着它在兼容性上做足了功夫，避免了推倒重来的高昂成本。