2026年6月30日，英特尔在加州圣克拉拉市的Bowers园区，为其全新的光罩生产设施举行了破土动工仪式。英特尔首席执行官陈立武、代工业务负责人、掩模业务总经理以及圣克拉拉市长丽莎·吉尔莫等核心高层共同到场见证。

该项目占地面积约107,000平方英尺（约9,940平方米），规划建设一座光罩制造工厂以及一座配套的公用事业大楼。建成后，将进一步夯实该厂作为英特尔光罩主力生产基地的行业地位。

新工厂将能够为深紫外（DUV）和极紫外（EUV）光刻工艺，以及从32nm到1.4nm级的多种制程节点生产6英寸×6英寸光罩。然而，核心聚焦领域是英特尔18A、18A-P、14A等前沿制程技术——这些先进工艺依托DUV、EUV乃至未来的高数值孔径（High-NA）EUV光刻工具，因此对光罩精度要求更高，例如需要具备极高图案密度、采用曲线光学邻近效应修正（OPC）技术的曲面几何形状光罩。

在全球范围内，英特尔是少数几家拥有先进光罩制造厂的芯片制造商之一。这是一项显著竞争优势：一款尖端芯片可能需要数百个光罩，而任何一个光罩上的微小瑕疵，都足以导致整条生产线停摆。

更关键的是，随着EUV光刻层的引入，光罩自主生产能力的重要性日益凸显——由于EUV光刻工具在使用过程中会逐渐累积光罩损伤（即便有保护薄膜防护），因此能否在短时间内迅速替换新光罩，成为保障生产连续性的关键竞争力。这几乎是只有自建光罩厂才能具备的“快速反应能力”。

值得一提的是：英特尔是目前唯一一家自主开发光罩写入设备的半导体厂商，这项工作由旗下的IMS纳米制造公司负责。传统上，光罩图案化依赖单电子束直写工具，效率较低；而IMS生产的多束光罩写入机（MBMWs）能同时发射多达262,144束独立编程的电子束进行写入，在保持纳米级精度的同时，吞吐量实现数量级提升。

“几十年来，圣克拉拉一直是英特尔许多最重要制造创新的发源地，”英特尔代工业务副总裁兼光罩运营总经理Frank Abboud博士表示。“本次扩建鲍尔斯园区的光罩产能，旨在强化一项支撑全球先进制程量产的关键能力，同时彰显英特尔代工业务对美国半导体制造领导地位的坚定承诺。”

英特尔的Bowers园区自1986年以来一直专注光罩生产，与俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂共同组成英特尔主要的光罩制造基础设施。由此可见，这条产业链上的动作，往往是整个半导体制造格局变化的先行风向标。