在NAND闪存技术持续突破更高堆叠层数的进程中，工艺制程挑战正逐步成为关键制约因素。最新行业信息显示，SK海力士已顺利完成375层NAND闪存的量产验证，并计划于2026年底前实现正式量产。值得注意的是，该产品最初的规划目标为400层架构，但由于超高堆叠层数量产工艺的限制，最终不得不调整为375层。

这一调整背后，折射出行业对更高存储密度与性能的不懈追求。为了弥补层数方面的折损，SK海力士在这款375层产品中引入了一项关键材料革新：首次在字线金属栅极中以钼（Mo）部分替代了传统的钨（W）材料。这一变化并非简单的物料替换，而是旨在解决超高层堆叠带来的核心物理难题。

材料革新应对技术瓶颈

随着NAND闪存堆叠层数不断攀升，传统钨基字线面临的电阻激增与信号延迟问题日益凸显。同时，钨材料所需的阻挡辅助层还会占用宝贵的堆叠空间，从而限制了存储密度的进一步提升。相比之下，钼材料凭借其更低的电阻率以及无需额外阻挡层的特点，成为理想的替代方案。它不仅有助于降低电阻、减少信号延迟，还能在相同物理空间内实现更高的存储密度，进而同步提升闪存的读写性能表现。

精密工艺与设备选择

然而，采用钼材料也带来了新的制造挑战。钼前驱体在常温下呈固态，这对沉积工艺的过程管控提出了极高要求。SK海力士在评估了泛林集团和东京电子等供应商的设备后，最终选定东京电子的炉式沉积系统。该方案一次可处理约100片晶圆，在设备综合成本、生产场地占用以及物料消耗方面被认为更具优势，为大规模量产奠定了坚实基础。

事实上，钼在NAND闪存中的应用已非孤例。三星电子在2024年4月量产的第九代286层V-NAND中，就已将钼应用于金属布线环节。而三星规划中的第十代400层以上NAND产品亦预计于2026年下半年推出，预示着钼材料在高层数NAND领域的应用范围正持续扩大。据业内人士透露，在375层产品之后，SK海力士后续将依次推出480层、604层等更高层数的NAND产品，技术竞赛远未结束。