当前半导体行业一个很明显的趋势是，Chiplet、3D堆叠这些先进封装技术，正在成为延续摩尔定律的核心路径。但一个更现实的挑战是——算力密度快速攀升，互连密度逼近物理极限，散热瓶颈制约性能释放，基板翘曲影响良率提升……说到底，这些难题最终都指向同一个底层变量：材料创新。

正是在这个背景下，2026国际集成电路创新博览会（IICIE）中的一场特色论坛——先进材料创新发展大会，把焦点精准地锁定在了“突破互连与散热极限”上。这场论坛将于9月9日在深圳国际会展中心（宝安）举行，主题是“AI异质整合封装之关键材料”，目的很明确：打通材料研发与封装应用之间的产业链壁垒，为行业提供真正可落地的技术参考和合作桥梁。

那么，这次大会具体会覆盖哪些技术方向？从议题设置来看，四个维度直击AI封装的核心命题。

散热管理：AI芯片功耗动辄数百瓦，传统散热方案早已捉襟见肘。论坛将重点探讨新兴散热材料、SiC等超高热导材料的应用突破，以及铜/金刚石混合键合技术对降低热阻的实际价值。

晶片堆叠：3D堆叠时代，铜-铜直接互连正成为高密度封装的关键技术。这里会聚焦混合键合工艺的升级，探讨在缩小间距、提升性能方面的技术要点和量产挑战——这直接关系到Chiplet架构能否真正落地。

玻璃基板：凭借优异的电学性能和平整度，玻璃基板备受关注。论坛将解析TGV（玻璃通孔）技术的核心优势，并针对大尺寸封装中的翘曲难题展开深度讨论，推动其规模化应用。

共封装光学（CPO）：随着AI算力对带宽需求的激增，CPO正从概念走向量产。核心难题在于如何破解光源的热敏感性，论坛将探讨玻璃基板与混合键合技术在CPO架构中的协同创新路径。

再看看嘉宾阵容。来自清华大学、深圳先进电子材料创新研究院的学者将带来前沿研究，安集微电子、贺利氏、安德科铭等产业代表则会分享一线实践经验。从二维材料到量子计算的边界探索，从HBM底填胶技术到高层数AI服务器PCB板材挑战，再从CPO光电整合的波导材料到3D堆叠工艺升级——一天的议程，把基础研究、材料创新与产业应用串联成一个完整的链条。

作为2026国际集成电路创新博览会的重要特色论坛，这次大会不仅仅是技术交流的平台，更是产业链协同的纽带。通过汇聚材料研发端与封装应用端的核心力量，论坛希望推动上下游需求对接与技术合作，为突破AI封装的互连与散热极限注入材料创新的真正动力。

9月9日下午，深圳国际会展中心（宝安），一场关于材料与封装的深度对话，值得期待。