AI硬件投资浪潮正从“买芯片”快速延伸至更长的产业链条：服务器整机、高速网络元器件、数据中心供电系统、高热密度冷却设施，均开始消耗更多基础原材料。对小金属而言，关键变化并非多了一个热门概念，而是下游实际用量已进入可量化测算的阶段。
东吴证券分析师刘奕町在6月20日的研报中指出：“全球AI资本开支正进入非线性加速阶段”，资本投放从单一芯片单品逐步覆盖服务器、高速网络、供电基建和冷却设施，“为上游基础原料带来需求红利”。
其中，锡、铟、铪分别对应AI硬件升级的三大关键卡点：锡用于PCB电镀和SMT焊接；铟以磷化铟形式进入高速光通信领域；铪则作为高K栅介质材料，服务先进制程继续微缩。测算显示，2026-2030年PCB端耗锡量有望增加4.9万吨；AI数据中心对应磷化铟的铟需求，或从2025年的19吨增至2030年的419吨；全球铪需求则可能从2024年的100吨增至2030年的142吨。
三种金属的共同痛点集中在供给端：锡受资源贫化、印尼政策调整、缅甸复产不及预期、贸易流变化影响；铟受制于锌矿和锌冶炼开工率；铪则卡在锆铪分离、环保、经济性和地缘扰动上。需求抬升叠加供给不顺，才是价格中枢上移的核心逻辑。
AI硬件的钱，已经不只花在GPU上
资本开支是这条产业链的先行指标。2026年，微软、谷歌、亚马逊、Meta四大云巨头资本开支合计最高将达7250亿美元。2025年1-9月，美国人工智能相关投资对实际GDP增长贡献率达到39%，高于2000年互联网泡沫时期的36%。
硬件升级集中在四个方向：算力密度、内存带宽、互联速率、功耗效率。芯片只是其中一环。AI服务器PCB层数已从传统服务器的8-24层，提升到通常28-46层，部分项目甚至采用56层设计。高速光模块从800G向1.6T、3.2T演进，数据中心内部互连瓶颈越来越突出。先进制程继续推进，传统二氧化硅栅介质也接近物理极限。
小金属进入视野，不是因为稀缺本身，而是因为它们恰好卡在这些升级节点上。
锡的新增量在PCB，供给端却很难配合
锡在电子工业中承担焊接和连接功能。AI服务器、高端PCB、先进封装扩张，都会增加锡的消耗量。
测算将锡消耗拆分为两大块：PCB制造中的电镀耗锡，以及SMT贴片封装耗锡。PCB电镀环节，HDI板锡单耗约40.19克/平方米，多层板约12.84克/平方米，HDI单耗是多层板的3倍以上。SMT封装环节锡单耗约294.22克/平方米。合并来看，PCB电镀+SMT环节锡单耗约318克/平方米。
根据Prismark预测，2030年全球PCB出货量将达到6.63亿平方米，2026-2030年复合增速约6.7%。对应测算中，全球PCB耗锡量将从2026年的16.3万吨增至2030年的21.2万吨，四年增加4.9万吨，CAGR为6.9%。以2025年全球锡消费量38万吨为基数，PCB端对锡消费的拉动弹性为12.3%。
问题在供给端。
全球已探明锡储量约600万吨，静态储采比约20.7年，低于铜、镍、钴等工业金属。2015-2025年，锡价大幅上行，但全球锡矿产量仅从28.9万吨增至29万吨，十年几乎零增长。中国锡矿产量则从11万吨降至7.1万吨，CAGR为-4.3%。
印尼是重要变量。2025年印尼锡矿产量占全球21%，但近两年矿业审批、非法矿治理、累进特许权使用费、最低基准价格等政策频繁调整，出口波动很大。缅甸曾是重要供应国，2018年锡矿产量占全球17%，但资源枯竭和禁矿后，2025年产量降至1.2万吨。即便2025年下半年佤邦宣布复产，中国自缅甸进口锡矿到2026年4月也只恢复至约1300金属吨，仍低于禁矿前约2200吨/月的水平。
南美贸易流也在变化。秘鲁、巴西、玻利维亚2025年合计产锡7.6万吨，占全球26%。其中秘鲁锡锭出口第一目的地是美国，玻利维亚出口也主要流向荷兰、英国、美国。美国锡产业链布局加速，可能进一步吸收南美原料。
整体而言，东吴证券认为锡金属在未来3-4年将同时面临需求端的高增与供给端的扰动，涨价驱动强烈。一方面，全球AI资本开支加速，PCB板等硬件设备的扩产有望为锡带来实打实的需求增量；另一方面，全球锡供给集中度高、不稳定性大，且影响供应的因素众多。
铟的弹性来自磷化铟，但铟不是想扩就能扩
铟传统需求以ITO靶材为主，占比约70%，下游用于液晶显示器和平板屏幕；电子半导体、焊料和合金各占约12%。2025年全球精铟消费量为2316吨，2026年和2027年预计分别增至2510吨和2813吨。
新增变量是光通信。AI数据中心内部，GPU之间需要高速交换数据。万卡级大模型集群中，芯片间数据搬运能耗占系统总能耗90%以上，铜互连在速率提升后有效传输距离缩短至数厘米。数据传输速率从100G/lane升级至200G/lane，并继续向400G/lane推进，光互连成为更现实的方向。
磷化铟的优势很明确：它是直接带隙半导体，带隙能量约1.34eV，匹配光纤通信中1310nm/1550nm低损耗窗口；电子迁移率是硅的10倍以上，可支持100GHz以上高频调制。高速光模块中的激光器芯片，磷化铟是核心材料。
测算中，4英寸磷化铟衬底实际耗铟量约32.2克/片。2025年AI数据中心对应磷化铟需求约60万片，穿透到铟需求为19.3吨；到2030年，磷化铟需求可能达到1300万片，对应铟需求419吨，增长22倍以上。以2025年全球铟需求为基数，仅这一项就可能带来20%以上增量。
供给的硬约束在于，铟主要伴生于铅锌多金属矿床。全球铟储量中，约81.2%来自铅锌多金属矿床；原生铟主要来自锌矿加工残渣。换句话说，铟价涨了，也不能单独开一座“铟矿”快速放量。
近年锌精矿加工费下行，锌炼厂开工意愿不足，精炼锌产能利用率降至近五年同期低位，对原生铟供给形成约束。与此同时，中国在2025年2月对磷化铟、三甲基铟、三乙基铟及相关技术资料实施出口管制。库存也在下降：中联金平台统计，铟库存从2025年初约488.8吨降至2026年1月28日的273.8吨。
截至2026年6月11日，国内精铟价格为470万元/吨，较年初上涨58%。
铪的价值在先进制程，难点在分离和扩产经济性
铪的传统需求集中在核能和高温合金。消费结构中，核能占45%，高温合金/航空航天占35%，半导体/电子占10%。
半导体端的变化来自制程微缩。65nm及以下节点，传统二氧化硅栅介质过薄后，量子隧穿效应导致栅极漏电流上升，芯片功耗和可靠性承压。氧化铪介电常数约18-25，远高于二氧化硅的3.9，可以在等效氧化物厚度不变的情况下增加物理厚度，降低漏电。
英特尔在45nm制程中引入铪基高K材料替代二氧化硅栅介质后，N型金属氧化物半导体栅极漏电流降低25倍以上，P型降低超过1000倍。随着3nm、2nm节点从FinFET向GAA架构推进，高K介质需求还会继续提升。
需求路径中，全球铪需求有望从2024年的100吨增至2030年的142吨。半导体领域需求从40吨增至64吨，贡献近半增量；高温合金从45吨增至60吨；核能从15吨增至18吨。
铪的供给比需求更棘手。铪主要是生产核级海绵锆时分离出来的副产品，全球核级海绵锆产能超过1万吨/年，实际年产量6000-7000吨，对应海绵铪供给约100吨，主要来自美国、法国、俄罗斯和中国。
锆铪分离难度高。两者物理化学性质相近，铪在自然界和锆化学品中通常只占锆铪总量的1%-3%。现有工艺涉及有毒溶剂或高浓度酸，环保和设备腐蚀问题突出。扩产也不经济：美国两家生产商理论上可将铪产量扩大约100%，但每家公司会额外产生约2000吨/年的脱铪锆，若没有客户承接，扩产很难闭环。
地缘扰动进一步推高价格。2024年俄乌冲突后，俄罗斯海绵铪断供，国际市场铪价从1200-1400美元/千克飙升至4500-5000美元/千克。中国2024年末将铪纳入两用物项管理，2025年未锻轧铪、铪废料及碎料、铪粉末出口20.2吨，同比减少22%。
国内4N级氧化铪价格也已大幅上行。2024年初约450万元/吨，到2026年6月16日涨至950万元/吨，涨幅111%。
