2025年6月25日，全球存储芯片三大巨头——三星、SK海力士与美光——在美国加利福尼亚联邦法院遭遇集体诉讼。原告约翰·特里诺代表近年来购买过传统DRAM产品的消费者与企业，提出直接指控：这三家公司凭借市场主导地位，以向HBM（高带宽内存）转型为由，协同削减DDR3和DDR4等传统内存产量，人为制造供应短缺。这一行为实质上就是典型的协同减产。

核心指控：产能挤压与协同减产

这一诉讼的核心逻辑，本质上是一个直白的商业问题：HBM对传统DRAM产能的挤压效应。HBM内存芯片的物理尺寸大约是标准DDR芯片的两倍，这意味着它要消耗更多的晶圆面积。具体数据印证了这一点：到2026年，HBM预计将占据全球DRAM晶圆产能约25%，且需求以每年约70%的速度快速增长。尽管全球DRAM晶圆总产能预计增长14%，但分给传统DRAM的产能仅为10%的增长。这种供需剪刀差直接导致消费级内存出现供应缺口。

原告指出，三大巨头原本有能力同步扩产传统DRAM以填补缺口，却选择将产能集中投放于利润更高的HBM，这实质上构成了协同减产。这一行为的直接后果是DRAM价格在过去四年里飙升约700%。苹果近期全面上调iPad与Mac售价，被视作价格传导的典型案例，且已被列入诉讼证据。

历史重演与市场展望

值得注意的是，这几家公司并非首次涉足此类行为。早在2005年，三星、SK海力士（以及当时的尔必达）就曾因操纵DRAM价格在美国司法部认罪，合计被罚款7.31亿美元，多名高管因此入狱。原告认为，如今这三家公司只是将当年的操纵手法包装成“HBM转型”的新故事。

展望未来，HBM对传统DRAM产能的挤占仍将持续。三大巨头在HBM领域的寡头地位赋予其主导产能分配的能力。这场诉讼能否真正改变存储市场的供需格局，仍有待观察。