在今年SEMICON China 2026期间，中微公司（688012）动作频频，一口气推出了四款全新产品。这四款设备覆盖了硅基与化合物半导体这两大热门赛道的核心工艺环节，涉及刻蚀、薄膜沉积以及关键智能零部件。这不仅是产品线的简单扩展，更关键的是，它展现了中微在其平台化战略上的持续深化——把单一产品的优势，串联成系统化的整体解决方案能力。
那么，这一轮的新品有何看点？不妨逐一剖析。
应对先进制程：Primo Angnova™与高深宽比刻蚀技术
逻辑芯片工艺正迈向5纳米及以下节点，先进存储对高深宽比刻蚀的要求也日益严苛。在刻蚀设备领域，这意味着一系列技术难题亟待攻克：更高的刻蚀精度、更出色的均匀性、更大的深宽比……
新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™
中微此次带来的Primo Angnova™，是一款ICP单腔刻蚀系统，专为正面应对这些挑战而设计。其技术路径十分清晰：
在硬件架构上，它采用中心抽气设计，配合高流导与高速分子泵系统，能大幅拓宽反应腔的压力控制范围，同时确保极高的反应气体通量。在实际工艺中，这意味着工艺窗口能进一步扩大。
在等离子体控制这一核心环节，Primo Angnova™集成了中微自研的第二代LCC射频线圈，再加上直流磁场辅助线圈（MFTR），并配备四段脉冲控制。这套组合拳的效果是：能够对离子浓度与离子能量进行高精度的独立调控。尤其值得一提的是，它搭载的超低频射频等离子体源可产生极高的离子能量，在处理高深宽比结构时，能力显著增强。
温度控制方面，它采用了Durga III ESC静电吸盘，拥有超过200个独立温控区。这意味着什么？晶圆表面的温度分布控制能够做到极为精细。同时，晶圆边缘的连续AEIT（晶圆边缘阻抗主动调节）设计，为中心到边缘的刻蚀均匀性提供了有力保障。
从系统效率来看，它搭载了中微成熟的Primo C6V3传送平台，最多可配置6个主刻蚀腔体与2个除胶腔体。这种高集成度，对降低客户的综合运行成本有直接帮助。可以说，Primo Angnova™的推出，为5纳米及以下逻辑芯片以及同等难度的先进存储芯片制造，提供了一个自主可控且技术领先的ICP刻蚀解决方案。
三维器件时代：Primo Domingo™与高选择比刻蚀
当芯片架构走向三维化，例如GAA、3D NAND、3D-DRAM，高选择性刻蚀便成为关键工艺。中微此次推出了Primo Domingo™，一款专门应对这类需求的高选择性刻蚀设备。
中微公司高选择性刻蚀机Primo Domingo™
为实现高选择性，同时保证均匀性与重复性，Primo Domingo™在腔体结构上采用了全对称设计，并优化了流场。在气体注入、温度控制、压力调控等关键环节，它实现了系统级整合。一个值得关注的设计是它的集成气柜，可缩短气体注入距离，实现更快速的脉冲气体精密控制。
设备内部使用了高抗腐蚀管路与特殊涂层材料，这主要是因为高选择性刻蚀工艺往往需要用到活性极强的刻蚀气体，设备的长期可靠运行能力必须跟上。此外，它配备了双制冷/双加热的晶圆基座，支持宽范围的精准温控，为刻蚀的均匀性与稳定性提供了双重保障。
Primo Domingo™同样使用了Primo C6V3传输系统，可灵活搭配主刻蚀腔和退火腔。从行业角度看，这款产品的推出，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的空白。这不仅是中微在产品矩阵上的一次重要补齐，对国内集成电路产业在先进工艺节点上的技术攻关，也提供了一把关键工艺设备的钥匙。
一次底层创新：Smart RF Match与“主动预测”
如果说前两款产品是主菜，那么此次发布的Smart RF Match智能射频匹配器，就是一道重要的配菜——但技术含量丝毫不低。
中微公司Smart RF Match智能射频匹配器
射频匹配器是刻蚀设备中用于稳定等离子体的关键子系统。中微此次的创新点在于，它首次在半导体设备领域引入了“射频回路专网”的概念。通过EtherCAT实时传输射频电源与智能匹配器之间的状态信息，这让匹配器从一个“被动响应”的角色，变成了一个能够“主动预测”的智能设备。它不仅能自行调节匹配网络，还能向射频电源下发控制指令。
背后是它自研的新型智能射频匹配控制算法。这套算法能实现微秒级的射频环境响应，根据等离子体状态实时自动调节阻抗，确保射频能量高效稳定地传输。更关键的是，它能根据不同的工艺条件，自动选择并切换频率调节范围与匹配模式。结果是，匹配速度可以比传统方案快上百倍。
在客户端高端逻辑工艺的实际测试中，同样工艺条件下，这套智能匹配系统将匹配速度提升了225%，整体刻蚀效率提高了15%。这直接转化为什么呢？更高的设备单位产能与更稳定的工艺一致性。从行业角度看，这标志着中微在等离子体控制领域实现了一次跨越：从“被动响应”迈向“主动预测”。它解决了行业长期存在的匹配精度、效率和稳定性之间的矛盾，为设备性能的进一步提升奠定了基础。
Micro LED量产的关键拼图：Preciomo Udx® MOCVD设备
在化合物半导体领域，中微此次推出了专为Micro LED量产设计的Preciomo Udx® MOCVD设备。
中微公司蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®
Micro LED量产的核心挑战是什么？高波长均匀性与低颗粒度。Preciomo Udx®为满足这些要求，在关键技术上进行了全新设计。它没有走传统的垂直气流MOCVD路线，而是采用了新型的水平式双旋转反应室结构。通过对温场与流场的仿真优化，以及硬件与工艺的协同，它显著提升了波长均匀性。
这款设备专为量产设计，最多可配置两个独立控制的反应腔，能同时加工18片6英寸或12片8英寸的氮化镓蓝绿光Micro LED外延片。每个反应腔均可独立运行，生产灵活性极高。它使用了水平式双旋转反应器，并配备了符合集成电路行业标准的EFEM和SMIF系统，实现了片盒到片盒的全自动化传输，这对于控制颗粒数量很有帮助。
基于模型的温度控制系统，加上业界领先的单腔产能，使得Preciomo Udx®在波长均匀性、低缺陷密度与高产出稳定性上，都达到了Micro LED量产的严苛门槛。
中微公司产品家族
自2004年成立至今，中微始终站在先进制程工艺发展的前沿。此次四款新品的加入，基本覆盖了从宏观控制到微观感知、从成熟工艺到前沿节点的多个维度。值得注意的是，中微近年来一直在加速新产品的开发周期，从传统的3-5年大幅缩短至2年以内。按照规划，其目标是在五年内，通过“有机生长与外延扩展”，覆盖60%以上的高端关键设备。
这种持续、高强度的研发投入，正在让中微从一个优秀的设备供应商，向一个高端半导体设备平台型公司稳步迈进。未来，其在集成电路与泛半导体领域的布局，值得持续关注。
