三星在 Exynos 2600 上部署了一套极为激进的散热方案，其效果立竿见影——这颗芯片的热稳定性实现了跨越式跃升。但别急，真正的重头戏还在后头。针对即将推出的 Exynos 2700，三星打算乘胜追击，采用一种名为并排式（SBS）的全新架构，再搭配更精良的散热手段，目标直指内存带宽的突破性提升。

先简单说下工艺底子。Exynos 2700 预计将采用三星的 SF2P 制程，这可以说是 Exynos 2600 那颗 2 纳米 GAA（全环绕栅极）工艺的正统迭代。GAA 是一种三维晶体管架构，栅极从上下左右四个方向将垂直堆叠的纳米片沟道严密包裹，静电控制更精准、阈值电压也更低。相较于上一代 SF2 节点，全新的 SF2P 制程能把整体性能提升约 12%，同时能耗再降低 25%。在当下竞争激烈的芯片市场，这样的提升幅度绝对算得上实打实的硬仗。

不过，Exynos 2700 最令人兴奋的变革，其实隐藏在布局设计里。Exynos 2600 采用类似三明治的结构：RAM 堆叠在 SoC 之上，铜质散热片（即热路径块，HPB）再压在 RAM 上方。这种设计的热效率虽然不错，但痛点十分明显——热量依然会困在 SoC 与 RAM 之间的夹层中，形成局部的热瓶颈。

而到了 Exynos 2700 上，三星选择另辟蹊径。借助自家的扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术，将 RAM 和 SoC 水平并排放置，直接在晶圆层面完成集成。这意味着什么？首先，互连距离大幅缩短，内存带宽预计将飙升约 30% 到 40%，同时能效也会随之提升。更重要的是，HPB 散热片这回可以直接平铺覆盖在 SoC 和 RAM 之上，热传递路径更短、更直接，热稳定性自然也就实实在在上了一个新台阶。

要知道，Exynos 2600 的热稳定性本来就已经压过高通的骁龙 8 Elite Gen 5 一头。现在三星把这些新技术全部融入 Exynos 2700，这个领先优势大概率会进一步拉大——而且绝不是一点半点。