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DRAM ETF夜盘暴涨13% 2倍做多杠杆版本飙升27%

时间:2026-06-25 15:10
DRAMETF夜盘涨超13%,2倍杠杆版飙升27%。该基金为全球首只纯存储主题ETF,持仓高度集中于美光、三星、SK海力士,三者权重超70%。

存储板块夜盘飙升:DRAM ETF创纪录涨幅引发市场关注

存储赛道在近期夜盘交易中展现出强劲动能,美股与韩国股市的存储概念股持续扩大涨幅,市场情绪空前高涨。据最新交易数据显示,全球首只聚焦计算机存储与数据存储行业的纯主题基金——Roundhill Memory ETF (DRAM.US) 直接涨超 13%,而其2倍杠杆版本 2倍做多DRAM (RAM.US) 更是飙升超过 27%,引发投资者对存储板块的广泛关注。

这一行情并非孤立事件,而是全球存储产业景气度回升、Web3基础设施需求爆发以及人工智能算力扩张三重周期共振的结果。对于布局区块链与去中心化存储的投资者而言,理解这一趋势背后的逻辑尤为重要。

  • DRAM.US 单日涨幅13%,创下上市以来最大单日涨幅
  • RAM.US 杠杆版本飙涨27%,杠杆资金加速入场
  • 存储板块整体成交量放大,资金流入信号明显

全球首只存储主题ETF:持仓逻辑与Web3的深层关联

Roundhill Memory ETF 作为全球首只专门聚焦于计算机存储与数据存储行业的纯主题基金,其持仓结构高度集中于全球三大存储巨头——美光科技、三星电子和SK海力士,三者合计权重超过 70%。这意味着投资者买入这只ETF,实际上是在获取整个存储产业链的“超级浓缩版”敞口。

从Web3基础设施的视角来看,存储芯片是支撑去中心化存储网络(如Filecoin、Arweave、Storj)以及区块链全节点运行的核心硬件基础。随着DePIN(去中心化物理基础设施网络)赛道持续扩张,对高性能存储芯片的需求正在从传统数据中心向分布式网络延伸。

存储三巨头的技术布局与Web3场景匹配

美光科技在NAND闪存与DRAM领域持续投入,其产品广泛应用于区块链节点服务器与IPFS存储矿机。三星电子的存储解决方案已被多家去中心化存储项目采用,作为企业级存储的优选方案。SK海力士则在HBM(高带宽存储器)领域取得突破,为AI与区块链融合应用提供关键算力支撑。

  • 美光科技:NAND闪存出货量全球领先,区块链存储矿机核心供应商
  • 三星电子:企业级SSD市占率第一,已进入多个DePIN项目供应链
  • SK海力士:HBM技术全球领先,支撑AI+区块链高性能计算场景

存储赛道的Web3与AI双重驱动:产业共振刚刚开始

当前存储板块的上涨并非单纯的周期性反弹,而是受到两大结构性力量的驱动。人工智能大模型训练对数据存储的需求呈指数级增长,而Web3去中心化存储的落地应用正在从概念验证走向规模部署。两者对存储芯片的需求形成合力,推动行业进入新一轮上行周期。

据行业研究机构估计,到2025年,去中心化存储网络对存储硬件的需求将达到现有网络规模的5倍以上。而AI训练数据的存储需求年复合增长率超过40%。这些数据背后,是DRAM和NAND闪存出货量的确定性增长。

DePIN赛道扩容:存储板块的Web3叙事价值

在Web3生态中,存储板块与DePIN(去中心化物理基础设施网络)关系最为紧密。去中心化存储项目需要大量存储节点部署,而节点运行的核心组件就是存储芯片。随着Filecoin虚拟机、Arweave生态应用以及Storj企业级方案的成熟,存储芯片的需求结构正在发生根本性变化。

  • Filecoin:全球最大去中心化存储网络,节点数持续增长
  • Arweave:永久存储协议,对存储硬件有独特需求
  • Storj:企业级去中心化存储,与AWS、Azure形成差异化竞争

Web3投资者如何理解存储板块的投资逻辑

对于Web3领域的投资者而言,存储板块的上涨提供了重要的多样化配置机会。传统存储ETF与去中心化存储代币之间存在一定的正相关性,因为两者的产业基础是相同的——即对高性能、高容量存储芯片的需求持续攀升。

值得注意的是,DRAM.US 和 RAM.US 等传统金融工具为Web3投资者提供了不需要直接持有加密资产就能参与存储产业增长的方式。同时,去中心化存储项目的代币(如FIL、AR、STORJ)则提供了更具弹性的Web3原生敞口。两者可以形成互补性的投资组合。

配置建议:传统存储ETF与Web3存储代币的协同

在投资实践中,采用“双轨策略”可能更为有效:一方面配置传统存储ETF获取产业β收益,另一方面布局去中心化存储代币捕获Web3特有的α机会。这种组合能够平衡波动风险,同时享受存储产业长期增长的红利。

  • 传统ETF端:DRAM.US、RAM.US 作为核心持仓,获取存储周期收益
  • Web3代币端:FIL、AR、STORJ 等作为弹性配置,捕捉去中心化存储增长
  • 风险对冲:两者相关性非完全对称,可适当降低组合波动

存储板块未来展望:Web3与AI融合催生万亿级市场

展望未来,存储板块的价值不仅在于传统半导体周期的复苏,更在于Web3和AI两大技术趋势的深度交汇。去中心化存储网络需要持续部署物理节点,AI训练数据需要海量存储空间,这两者共同构成了存储芯片需求的长期增长底座。

从产业节奏来看,2024-2025年将是存储芯片供需格局显著改善的关键窗口期。Web3应用落地加速、AI推理场景扩展、以及企业级存储升级换代,三重利好叠加,有望推动存储板块进入持续上升通道。对于关注Web3基础设施赛道的投资者而言,当前存储板块的异动值得高度重视并深入研究。

DRAM ETF夜盘涨超13%,2倍做多杠杆版飙升27%

来源:https://www.allfinanz.cn/GameFi/127799.html
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