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英特尔代工VLSI研讨会详解制程里程碑与技术创新

时间:2026-06-18 13:43
Intel18A-P进入风险试产,性能提升9%或功耗降低18%,新增PowerBoost技术,热阻与过孔电阻显著优化,且与18A设计规则兼容。GAA晶体管和背面供电技术减少11%布线面积,动态压降缩小10倍。未来探索CFET、氮化镓+硅集成及减成法钌互连等前沿方向。

先分享几个核心结论。

目前,Intel 18A-P 已正式进入风险试产阶段,也就是量产前的小批量验证环节。这一节点意义重大——它不仅是 Intel 18A 系列的首个性能增强版本,更表明英特尔在制程迭代方面的节奏正按预定计划稳步推进。

在 2026 年的 VLSI(超大规模集成电路)国际研讨会上,英特尔代工集中披露了大量硬核信息,涵盖制程路线图与具体技术创新,内容非常务实。

英特尔代工在 VLSI 研讨会上详解制程节点里程碑与未来技术创新

英特尔代工执行副总裁兼总经理 Naga Chandrasekaran 在会上的表态十分直接:“我们在 VLSI 上展示的这些进展,传递出一个明确信号——我们对前沿制程创新的长期投入坚定不移。这趟旅程远未结束,前方还有更多工作要做。”坦率而言,能在公开场合同时讲清进展与挑战,本身便是一种自信。

Intel 18A-P 的最新进展

本次 Intel 18A-P 拿出了怎样的成绩单?关键在于晶体管、互连和设计技术的协同优化。英特尔的工程师在 VLSI 上详细拆解了以下几个看点:

先说性能。与 Intel 18A 相比,Intel 18A-P 在相同功耗下性能可提升 9%,或在相同性能下功耗降低 18%。同时热特性显著增强,芯片设计时的灵活度更高。这 9% 的性能提升,对于追求极致算力的场景来说,确实是一项硬指标。

核心亮点之一是新增的 Power Boost 能效增强技术。这是一种全新的双接触、低电阻晶体管方案,简单来说:在不增加电容的前提下,大幅提升驱动电流,从而实现更高的运行频率。对芯片设计师而言,这等于多了一张可打的牌。

散热方面也有明显改善。通过材料和设计创新,热阻降低了 20% 到 40%。别小看这个数字——在高密度芯片中,散热每改善一点,整体性能释放的空间就大一分。此外,过孔电阻(即芯片各层之间的“垂直连接通道”)通过几何和材料优化,也降低了 10% 到 30%。通道越顺畅,电信号传输就越快。

还有几个值得关注的细节:通过应变工程提升了 PMOS 迁移率,使电流通过晶体管时更高效;新增了低功耗与高性能晶体管选项;在 ULVT 和 LVT 之间增加了第五组 Vt(逻辑阈值电压)选项。这第五组 Vt 的加入,相当于给设计者提供了一个更精细的调节旋钮——在速度与功耗之间找到更合适的平衡点。

最关键的是:Intel 18A-P 与 Intel 18A 的设计规则完全兼容。这意味着现有 IP 和设计流程可几乎原样复用,客户无需从头再来。两种单元高度(180nm 和 160nm)和 50nm 的接触栅极间距也保持了一致。

GAA 晶体管和背面供电技术的最新研究

借助 Intel 18A 节点,英特尔代工已将全环绕栅极(GAA)晶体管和背面供电(BSPD)这两大前沿技术真正推向市场。这并非停留在纸面上的概念,而是实实在在出现在晶圆上的成果。

面向未来的逻辑芯片设计,英特尔的工程团队在 VLSI 上分享了更多量化数据。英特尔代工副总裁兼英特尔院士 Eric Karl 展示了如何量化背面供电和 GAA 晶体管的实际优势:与同类正面互连技术相比,这两项技术可减少 11% 的布线面积,动态压降幅度缩小 10 倍,最终带来高达 6% 的频率提升或超过 15% 的动态功耗降低。

英特尔代工硅片与平台工程团队的 Manju Shamanna 则展示了一个基于 GAA 和背面供电技术制造的 CPU 核心的硅片测试结果。研究显示,在较低电压(约 0.5V)下,这两项技术可实现约 30% 的频率提升,同时 IR(内阻)压降显著减少,运行效率更高。低压高频——正是业界梦寐以求的方向。

面向未来的技术创新

当然,英特尔代工的野心不止于 18A 和 18A-P。在 VLSI 上,他们还展示了几个对未来芯片微缩至关重要的长期研究领域。

首先是互补场效应晶体管(CFET)。英特尔展示了一个单片式 CFET 反相器,将 NMOS 与 PMOS 器件垂直堆叠,栅极间距做到了 45 纳米。这个架构的意义在于——通过垂直堆叠方式,为 GAA 晶体管之后继续推进逻辑微缩开辟了一条新路。简单说,就是为后 GAA 时代提前排兵布阵。

其次是面向电源管理的氮化镓+硅集成技术。英特尔在 300 毫米晶圆上实现了单片集成,将氮化镓功率器件和硅基逻辑(含一个约 1,000 个逻辑门的数字控制模块)整合在一起。这意味着高效、大规模的数字控制可与高性能功率器件在同一工艺下协同工作,系统复杂性随之降低。对于电源管理领域来说,这是一个极具想象力的方向。

最后是减成法钌互连技术。英特尔展示了一种采用空气间隙集成的减成法钌互连,与传统铜互连相比,电容降低高达约 35%,同时频率提升显著。随着互连尺寸持续缩小,电阻和电容的矛盾愈发突出,钌互连这条路若能走通,将对未来的芯片设计带来重要突破。

总体来看,本次 VLSI 研讨会内容密度很高,既有已进入风险试产的 18A-P,也有面向未来三五年的前沿探索。英特尔代工在制程创新上的这套组合拳,值得持续关注。

来源:https://www.ithome.com/0/965/171.htm
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