在今年的台北国际电脑展（Computex）上，宏芯宇（Hosin）正式推出了备受瞩目的自主研发新品——型号为HG2325的UFS 2.2嵌入式闪存主控芯片。该芯片采用22纳米制程工艺，内部集成大容量SRAM缓存，并搭载了自研的4KB LDPC硬件纠错引擎，能够全面兼容当前主流的3D TLC与QLC NAND闪存颗粒。在平台兼容性方面，HG2325可无缝对接多种主流SoC架构，并支持从64GB到1TB的完整容量范围，覆盖场景十分广泛。
同期，宏芯宇还集中展示了一套完整的高性能存储方案，产品涵盖PCIe Gen5 x4接口的eSSD、DDR5-5600规格的RDIMM内存模组，以及面向车载市场的车规级嵌入式闪存与固态硬盘。由此可见，宏芯宇此次同时在存储主控、企业级内存和车规存储等多个赛道协同发力，产品线较以往更为完善。
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