半导体行业再度迎来重磅动态。SK海力士近日正式公布了最新的产能扩张规划，计划在2030年至2031年期间，将DRAM晶圆月投片量提升至当前两倍，突破100万片大关。这一战略调整的核心驱动力，明显源自全球AI产业对高端存储芯片日益增长的需求。
thelec关于SK海力士扩产计划的报道截图
该产能扩张计划早在2026年台北国际电脑展之前便已启动。值得注意的是，展会期间，英伟达相关负责人曾在SK海力士的DRAM晶圆上写下增产寄语，这一细节充分反映出——AI产业的迅猛发展已将高端存储芯片需求推至白热化阶段，上游供应商若不扩大产能，将面临供应瓶颈。据行业消息，近两个月内，SK海力士采购部门及龙仁半导体项目团队已与产业链上游主要供应商进行了多轮详细扩产细则的沟通。
从具体产能布局分析，SK海力士目前DRAM晶圆月投片量约为55万片，其中无锡工厂产能稳定在20万片，占据主要份额。此次新增产能的实现，主要依托两大重点项目：韩国龙仁半导体集群与清州M15X晶圆厂。
龙仁首座晶圆厂规划建设6个独立洁净室，项目预计于2027年2月开始首个洁净室的设备安装，每个洁净室投产后可新增月产能6万片。企业的推进节奏为每半年启用一个洁净室。按照这一时间表，到2030年上半年，龙仁首座晶圆厂将累计新增36万片月产能。与此同时，清州M15X晶圆厂的扩建也在稳步进行，该项目计划于今年下半年投产，初始月产能为4万片，预计到2027年将进一步提升至8万片。两大在建项目一旦如期达产，SK海力士的DRAM月产能将稳稳突破百万片大关。
在NAND闪存业务方面，SK海力士此次采取了差异化策略——暂缓大规模新建产线，而是将重心放在工艺迭代上，重点推进闪存堆叠层数技术的优化，通过技术升级充分挖掘现有产线的潜力。这一产能部署思路，也与SK集团管理层此前提出的五年内整体晶圆产能翻番的战略高度契合。
