三星电子在Computex 2026展会期间首度公开展示了第八代高带宽存储器HBM5原型，这一动作标志着韩国芯片巨头正加速布局AI存储赛道。与此同时，在存储芯片价格全面攀升的大背景下，市场对韩国存储厂商今年盈利的预期已大幅上调，其背后的逻辑值得深入剖析。
三星电子首席技术官宋在赫（Song Jae-hyuk）在展会上指出，随着AI系统日趋复杂，从存储、晶圆代工到逻辑芯片与封装的全产业链竞争力变得愈发重要。而HBM5的核心技术亮点，是名为Heat Path Block（HPB）的热管理创新——简单来说，就是在半导体晶圆之间引导热量流动，有效缓解高密度堆叠芯片中的热量积聚问题，从而提升性能稳定性与运行可靠性。
在HBM4E层面，三星已于5月下旬率先向全球主要客户发货12层HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。HBM4E引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps，较HBM4提升超过20%，每堆栈带宽达3.6TB/s，容量48GB，较上一代增加超过30%。
值得关注的是，通用DRAM价格的大幅上涨显著强化了三星和SK海力士在HBM定价上的主导权，两家公司的盈利预期随之上调。摩根士丹利预测，三星今年全年营业利润同比增幅或将达到464%，SK海力士增幅约为280%。
HBM5：热管理突破与先进工艺路线
三星此次展出的HBM5原型，核心创新点正是HPB热管理技术。随着AI模型运算需求持续攀升，存储带宽随之提升，密集堆叠芯片中的热量积聚问题日益突出——这直接威胁芯片的性能表现与使用寿命。三星表示，HPB技术通过在半导体晶圆之间引导热量，将其从关键区域疏散，从而改善整体运行稳定性。
该技术已在HBM4E平台完成验证，计划随HBM5正式商用。宋在赫表示，具体推进节奏将视客户需求而定，不排除提前商用的可能。在工艺层面，HBM5计划引入三星第六代10纳米级DRAM制程（1c DRAM）及2纳米逻辑工艺节点。
宋在赫进一步指出，HPB技术的实现需要对芯片架构多个层次进行重新设计并协同整合。三星作为集存储、晶圆代工与封装于一体的综合半导体制造商，具备其他厂商难以复制的跨环节协同优势。此外，三星正准备成为业内首家部署混合铜键合（hybrid copper bonding）先进封装技术的厂商——该技术可进一步提升散热效率与芯片性能，相关样品已向多家客户提供。
HBM4E：速度与容量双升级，量产在即
在HBM5技术展望之外，三星此次在Computex展会上同步展示了HBM4E平台的晶圆及芯片组。展会信息显示，该产品引脚传输速度达14Gbps，带宽最高可达4TB/s，核心芯片采用1c DRAM制程，逻辑基底芯片则由三星晶圆代工以4纳米工艺制造。
三星5月29日公告显示，此次交付的12层HBM4E样品能效较上一代提升16%，热阻特性改善超过14%——这有助于在高负载数据中心场景中延长可靠性并降低能耗。HBM4E与HBM4共用核心技术路径，旨在提升制程稳定性与良率。三星存储开发部门执行副总裁张相俊（Sang Joon Hwang）表示，HBM4E再次体现了三星的技术差异化优势，公司将持续推动全球AI存储市场增长。
在产品线规划上，三星除现有12层48GB版本外，后续还将推出32GB（8层）与64GB（16层）版本，以覆盖不同客户需求，量产节奏将根据客户时间表推进。
存储价格全线上涨，韩国厂商盈利有望创历史新高
三星在AI存储技术端积极布局的同时，整体存储市场价格走势也为其提供了有力支撑。市场认为，通用DRAM价格大幅上涨后，其收益性已接近HBM水平——这意味着三星和SK海力士均无需依赖HBM冲量维持营收，得以在价格谈判中保持强硬立场。
三星采取审慎的产能分配策略，并未将DRAM产能过度转移至HBM，这一做法进一步支撑了HBM高价格区间的维持。据报道，三星HBM4的谈判价格已在700美元左右，较上一代HBM3E高出20%至30%。
HBM、通用DRAM及NAND闪存价格同步走高，为韩国存储厂商带来全面盈利改善预期。摩根士丹利预测，三星电子今年全年营业利润将达约245.7万亿韩元，同比增幅达464%；SK海力士全年营业利润预计约179.4万亿韩元，同比增幅约280%——两家公司的业绩改善预计将贯穿全年。
