NAND闪存短缺将持续至2028年内存价格下半年看涨
近期，AI领域的投资重心正从模型训练快速转向实际推理应用，这一关键转变显著提升了对高性能内存和存储解决方案的需求。慧荣科技总经理苟嘉章对此发出行业预警，指出在当前供需格局下，NAND闪存芯片的供应紧张局面可能将持续至2028年，同时预测下半年DRAM内存价格仍将延续上涨趋势。
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为抢占AI发展先机，北美及全球主要云端服务供应商正在大规模投入AI数据中心基础设施建设，这引发了业界对未来高带宽内存（HBM）和AI算力资源可能面临短缺的普遍担忧。为保障供应链安全，下游企业正积极通过签订长期供货协议、支付预付款等方式提前锁定产能。这些战略性采购行为进一步加剧了市场对存储芯片长期供应紧张的预期。
产能扩张周期漫长，供需缺口短期难缓解
对于半导体存储行业而言，产能扩张是一个资本密集、技术复杂的漫长过程。即便厂商立即启动新的晶圆厂建设计划，从选址购地、建造高级别无尘车间，到完成精密设备安装与生产良率爬坡，整个周期通常需要长达2到3年时间才能形成稳定有效的产出。此外，光刻机等核心设备的交付周期本身也往往长达12至18个月。这些结构性因素共同作用，导致存储市场的供需失衡状态难以在短期内得到根本性扭转。
内存价格走势分析与行业影响深度解读
基于对产业链的深入分析，苟嘉章预测，今年下半年DRAM和NAND闪存价格仍将维持上行通道，但价格上涨的幅度可能会较上半年有所收窄。原材料成本的持续攀升已给部分智能手机和PC制造商带来盈利压力。然而，像苹果这类拥有强大供应链议价能力和品牌溢价的大型科技公司，则有望在这种市场格局中进一步巩固其竞争优势，甚至实现市场份额的跃升。
总体而言，在AI浪潮的持续驱动下，存储芯片市场的紧平衡状态预计将成为未来数年的新常态。产业链上的各类企业，从原厂到终端品牌，都需要为应对长期的供应挑战与成本波动做好战略准备。
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慧荣科技总经理苟嘉章指出，由于AI投资重心从训练转向推理，大幅推升内存与存储需求，NAND闪存供应短缺状况可能延续至2028年。产能扩张周期漫长，从建厂到量产需时2-3年，设备交付亦需1-1 5年，导致供需缺口短期难解。预计下半年内存价格将继续上涨，但涨幅可能放缓，这已使部分终端设备厂商承压，而具备
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