从技术追赶到局部领先 化合物半导体产业化进入生态重构深水区
从技术追赶到局部领先
4月24日，一份备受行业瞩目的报告——《第三代半导体产业发展报告（2025）》在2026九峰山论坛开幕式上正式亮相。这份由第三代半导体产业技术创新战略联盟编写的报告，为我们勾勒出了一幅产业蓬勃发展的生动图景。
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正如第三代半导体技术产业创新战略联盟理事长吴玲所言，当前AI浪潮正以前所未有的力量推动全球半导体产业前行，而宽禁带半导体，也就是我们常说的化合物半导体，已然成为各国争夺高端产业链话语权的核心战场。一个令人振奋的趋势是，我国在光电子、射频电子和功率电子这三大领域，已经构建起相当完整的研发和产业体系，正处在一个从“技术突破”向“产业领先”加速迈进的关键转折点。
报告中的数据有力地支撑了这一判断。2025年，全球半导体产业势头不减，叠加新能源汽车、光伏储能等下游需求的持续放量，国内第三代半导体产业继续保持着高速增长的节奏。具体来看，功率电子领域市场规模约227亿元，同比增长28.6%，其中仅新能源汽车及交通市场就突破了148亿元。GaN射频器件市场达到119亿元，同比增长9.2%；而在光电领域，车用LED保持稳定增长，GaN基激光器市场规模更是达到了70亿元。
视线转向供给端，国内产业的“肌肉”也日益强健。报告显示，国内第三代半导体功率电子、射频电子、LED的产值分别达到231亿元、47亿元和1037亿元。在关键的材料环节，国内碳化硅（SiC）衬底、外延及晶圆（折合6英寸）的产能分别为420万片、230万片、190万片，产量分别为205万片、93万片、85万片，产能利用率较上年有了明显提升。GaN功率电子的外延及晶圆产能与产量也实现了较大幅度增长。更值得关注的是产业格局的变化：天岳先进、天科合达等企业已跻身全球SiC衬底前三，瀚天天成、天域半导体等在SiC外延领域进入全球前二，使得我国SiC材料整体供给占据了全球半壁江山。英诺赛科的GaN功率器件全球市占率则继续保持第一的位置。
技术层面的突破同样可圈可点。SiC 8英寸衬底已实现规模化供货，12英寸外延更是全球首发；GaN相关技术取得重要进展；在超宽禁带半导体领域，多项技术实现了国际首发。展望2026年，报告预计，在经历了规模化的增量扩张后，第三代半导体功率及射频电子产值的增速仍有望保持在15%以上。
这一切背后的驱动力是什么？答案是对更高能源效率、更快信息速度和更强极端环境适应能力的永恒追求。可以说，我国已经实现了从技术追赶到局部领先的华丽跃升。未来5到10年，正是有望实现全球引领、形成半导体领域优势长板、抢占国际竞争战略主动权的关键窗口期。
进入生态重构深水区
然而，前景光明，道路却非坦途。多位与会专家不约而同地指出，国内第三代半导体产业在高端衬底、核心设备等关键环节上，短板依然存在。从研发、中试到规模化量产，各个环节的衔接还不够顺畅流畅。整个产业，正处在由技术突破向建立全面领先优势的关键节点上，挑战不容忽视。
吴玲理事长将当前面临的主要挑战归纳为两点：性价比的提升和产业链的协同。她特别强调，“材料和器件的长期可靠性是决定其能否被市场广泛采纳的生命线”。目前，第三代半导体材料与器件固有的缺陷、电磁干扰等新问题带来了挑战，而其封装和驱动生态的成熟度远不及传统硅器件，相关的评价方法与标准体系也亟待完善。
此外，成本始终是决定一项新技术能否大规模普及的“命门”。衬底与外延的成本依然高企，而大规模的产能扩张又可能引发供需失衡，这正在加速行业的洗牌进程。
那么，当产业化进入生态重构的深水区，发展路径该如何选择？竞争的逻辑正在发生深刻变化——焦点已从单一的产品性能比拼，转向了系统级的解决方案竞争。这一转变，促使终端应用企业开始深度介入前端技术研发，产学研合作因此被推向更紧密的层面，进而对创新资源配置的效率提出了前所未有的高要求。
“许多前沿探索其实已初具转化潜力，但科研团队往往缺少感知市场脉动的触角。”中国科学院院士、武汉大学工业科学研究院执行院长刘胜的观察一针见血。他建议，要推动产学研用从简单的物理集聚走向深度的化学融合，不仅需要加快公共技术平台的建设，更需要“耐心资本”的长期护航，以完善从概念验证到规模化量产的全周期支持体系。
打造半导体化合物高地
论坛的举办地武汉，正是这场产业变革的积极实践者。自2024年创办以来，九峰山论坛已迅速成长为国内化合物半导体领域规模最大、规格最高、影响力最强的行业盛会。而武汉，也正全力抢抓第三代半导体发展的风口，聚力打造半导体化合物高地与优势产业集群。
目前，以武汉东湖高新区为核心，一个强大的创新网络已经铺开。这里布局了九峰山实验室、光谷实验室、国家信息光电子创新中心等一系列高能级创新平台，集聚了创飞、先进、先导新材等一批核心企业。作为工信部首批国家级制造业中试平台中集成电路领域唯一入选的平台，九峰山实验室的带动效应显著，已推动70余家企业落地，助力武汉市化合物半导体企业总体规模突破400亿元。
据武汉东湖高新区相关负责人透露，该区正以九峰山实验室为核心，全力打造一个面积达14平方公里的化合物半导体街区。街区内的一个重磅项目——16.8万平方米的化合物半导体孵化加速及制造基地，即将在今年建成投用。未来在这里，初创企业几乎可以“拎包入驻”，带着设计图纸就能造出芯片样品。与此同时，光谷设立了总规模达890亿元的政府投资基金群，旨在加快集聚产业上下游生态，目标直指成为全球化合物半导体产业投资的首选地。
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